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请教各位大侠,可控硅在EFT测试时误动作,请问有什么方法处理呢?谢谢!

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mbjian|  楼主 | 2016-11-3 01:02 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
阻容降压单片机可控硅控制发热盘,在EFT测试时会误动作,有什么好方法解决呢?谢谢各位

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来自 2楼
mbjian|  楼主 | 2016-11-3 01:10 | 只看该作者
本帖最后由 mbjian 于 2016-11-3 10:23 编辑

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NE5532| | 2016-11-3 16:08 | 只看该作者
把单片机程序写成固定在可控硅禁能的状态下,再测,分清是单片机主动发出了导通控制信号,还是电路层面上被干扰了。

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mbjian|  楼主 | 2016-11-3 18:29 | 只看该作者
本帖最后由 mbjian 于 2016-11-3 19:50 编辑
NE5532 发表于 2016-11-3 16:08
把单片机程序写成固定在可控硅禁能的状态下,再测,分清是单片机主动发出了导通控制信号,还是电路层面上被 ...

谢谢回复,可控硅是低电平导通,断开R2就不会误动作(截图红色箭头)。但如果是断开三极管前的R4,还是会误动作。

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mbjian|  楼主 | 2016-11-4 09:06 | 只看该作者
king5555 发表于 2016-11-3 23:08
Q1改成NPN,而5V電源改成-5v,其余跟著改。

好的,我试下,谢谢!

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