请教各位大侠，可控硅在EFT测试时误动作，请问有什么方法处理呢？谢谢！

发表于 2016-11-3 01:02

阻容降压单片机可控硅控制发热盘，在EFT测试时会误动作，有什么好方法解决呢？谢谢各位

登录 · 发表于 2016-11-3 01:10

本帖最后由 mbjian 于 2016-11-3 10:23 编辑

发表于 2016-11-3 16:08

把单片机程序写成固定在可控硅禁能的状态下，再测，分清是单片机主动发出了导通控制信号，还是电路层面上被干扰了。

发表于 2016-11-3 18:29

本帖最后由 mbjian 于 2016-11-3 19:50 编辑

NE5532 发表于 2016-11-3 16:08
把单片机程序写成固定在可控硅禁能的状态下，再测，分清是单片机主动发出了导通控制信号，还是电路层面上被 ...

谢谢回复，可控硅是低电平导通，断开R2就不会误动作（截图红色箭头）。但如果是断开三极管前的R4，还是会误动作。

发表于 2016-11-4 09:06

king5555 发表于 2016-11-3 23:08
Q1改成NPN，而5V電源改成-5v，其余跟著改。

好的，我试下，谢谢！