S3C2440处理器nandflash启动中的“SteppingStone”疑问

只看该作者 · 2016-11-4 09:38

标题：S3C2440处理器nandflash启动中的“SteppingStone”疑问
嵌入式的学习面广切碎，刚开始啥都不懂，学着学着感觉很多都会了，但是有时间回过头来再细分析一些事情的时候，发现还是没有搞明白一些很底层的东西。今天我就来说说自己的疑问点，也希望知道的朋友帮帮忙！

问题描述：
1. 只讨论s3c2440的nandflash启动。
2.根据datasheet介绍，当2440选择从nandflash启动时，系统会自动的将nandflash的前4K代码拷贝到2440内部的“SteppingStone”即内部的SRAM（4K），此时内部的SRAM映射到地址0X0000 0000.
问题：这个自动的过程是怎样实现的?

对于上述问题自己目前的理解：
1. 首先自己对这个拷贝过程以及程序运行非常明白。
2.虽然在系统上电后，根据硬件NCON0、GPG13~15可以确定nandflash的一些页大小、数据位宽等参数，但是nandflash控制器是怎样自动的把前4K的数据就拷贝到了内部的SRAM中。（既然是拷贝肯定存在数据的传输，这个过程是怎样进行的？）
难道nandflash控制器只根据NCON0、GPG13~15的配置就可以从外接的nandflash芯片里面读取数据到2440内部的SRAM吗？如果这样，我们在后面的nandflash驱动代码中的对nandflash的读、写操作是否可以借鉴自动拷贝的功能进行实现，会不会简单些？
3.nandflash的本身特点读取数据时会出现位翻转，但是在系统上电后nandflash启动时ECC是没有启动的，那么如果在前4K代码拷贝中的关键数据出现问题，造成系统启动失败（虽然概率较小）怎样解决？
请知道的朋友解答！

只看该作者 · 2016-11-14 12:06

拷贝过程应该是在芯片内部有一段固化的程序来执行的，这段程序会读取相关配置管脚获取NAND Flash 信息。

只看该作者 · 2016-11-14 12:08

NAND Flash芯片，厂家会保证Block0不是坏块，用户不用考虑这个地址范围的坏块问题。

只看该作者 · 2016-11-15 08:13

下面是另外的网友给的解释，便于大家交流：首先，nandflash sd卡等设备是不具备片上执行能力的，片上执行能力是指直接使用一个指针就可以访问到地址，比如 Nor 片内 ram sdram ddr 等，它们可以。但是很多厂商说，我们的设备支持 nandflash 启动，支持 sd 卡启动，是因为在 bootloader 之前还有一个 bootrom 过程，芯片厂商固化了一段引导代码在片内rom里，比如说它可以读取 nandflash ,sd 卡。比如2440 可以读取nandflash 前4K到片内ram，至于为什么它能读nandflash ，这个我也不知道，但是可以猜测一下，这里设置了位宽和页大小等，相比nandflash控制器，少了时序设置和eec等一些设置，我觉得有可能三星在引导代码里初始化了 nandflash控制器，只不过它的初始化使用的时序是效率非常低的，通吃所有nand的初始化~至于你说的ECC的问题，或许只有三星的人才知道它是如何保证的，或许压根没有保障！