关于STM32F103内部FLASH

发表于 2016-11-7 14:31

各位大侠，近日看到一个项目，用的是STM32F103RCT6，里面有很多的关于FLASH的读写程序，我暂时没时间仔细读程序。我只是想这些读写FLASH程序的功能。是存参数吗？也就是一些设置参数存放在FLASH中，相当于EEPROM的功能。想问一下，STM32F103RCT6中的FLASH有这样的用法吗？

发表于 2016-11-7 15:02

是可以划分一部分flash做存储参数啊。

发表于 2016-11-7 15:06

以前没这样用过，都是有单独的EEPROM。不过这样的话，程序下载的时候，会不会把这部分覆盖掉？在哪里做这个划分工作？具体怎么操作？

发表于 2016-11-7 16:38

跟EEPROM不同的, 跟NOR FLASH差不多你把空间规划好程序从底部算存储从高处算不要重叠当然你程序太大没有多余空间肯定是不能用存储了

发表于 2016-11-7 19:01

这样用很正常啊。容量那么大，不用白不用。

发表于 2016-11-7 19:08

可以这么用

发表于 2016-11-7 19:30

可以的，我一直这样用；

不要和代码区域重叠就可以了；

发表于 2016-11-8 08:27

存什么都可以，把后面的余下来的空间划分出来，存储参数，简单的数据都是可以的。

发表于 2016-11-8 08:32

还没用过内部的，不知道咋用呢

发表于 2016-11-8 13:38

烧录程序的时候可以设置地址段
程序部分和存储部分分开就可以了

发表于 2016-11-12 21:50

程序从底部算存储从高处算不要重叠

[STM32F1] 关于STM32F103内部FLASH

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