H电桥电路死区？

发表于 2010-3-29 20:56

本帖最后由 457878 于 2010-3-29 21:13 编辑

需要一个电源极性切换电路，于是想到了电机驱动的H电桥，用4个MOS进行切换，但在切换时会有个“死区”(类CMOS门的切换过程中会有两MOS管同时导通的时刻)

但大功率mos一般反应较慢，直接切换是不是有问题？
IRF7343（ di/dt = 100A/µs）

下班了，图没截下来...

发表于 2010-3-29 21:09

“死区”是指同侧两支管子同时截止，并非指同时导通。
同侧两支管子同时导通，一般称“共同导通”。在电压源供电电路中，“共同导通”非常危险，近似于短路。即使没有烧毁管子，也将给供电电源带来很大损耗。

发表于 2010-3-29 21:25

有共同导通区,所以才要设置控制死区,避免共同导通

发表于 2010-3-29 21:27

呵呵，纠正：“共同导通”
切换倒不是很频繁，偶尔切换一下而已，我就是怕烧管子。

发表于 2010-3-29 23:06

延时导通

登录 · 发表于 2010-3-30 08:31

Mos驱动真要大费周折：
1.由于电源电压过高，全部要分压驱动
2.由于栅极电容过大及“共同导通”的存在，驱动电阻要选的比较小（1K时，RC乘积约：1us）【还是不能确定1us时间会不会烧管子】

发表于 2010-3-30 09:24

不知在PMOS上方串入一个100uH电感如何

发表于 2010-3-30 20:23

呵呵，想到办法了，不回帖不告诉你们...

发表于 2010-3-30 21:08

发表于 2010-3-30 23:28

用电路实现这个功能，即可搞定“死区时序”：MOS管截止时迅速截止，开启时通过对电容充电延时开启。
具体：
1. PMOS栅极上并个小容量电容及分压电阻，用PNP三极管对电容进行放电即可实现迅速截止，导通时却会因为
充电的关系而延迟导通；
2. 同理，NMOS栅极上也并个小容量电容及分压电阻，用NPN三极管对电容进行放电....

搞定！

发表于 2010-3-31 01:08

呵呵，LS就等着烧管子吧;P

发表于 2010-3-31 02:38

楼主在6楼贴的图，是在故意制造“共同导通”，简直是“全导通”。

登录 · 发表于 2010-3-31 08:31

自己琢磨的，已经开始小批量，目前工作还算正常。
总是有些不太放心，为了安全，在36伏前段加了保险管。
还请诸位多多指教。

登录 · 发表于 2010-3-31 09:08

贴图：

发表于 2010-3-31 09:48

yzhj的电路看不清楚，但从4个引出端来看，还是有时序控制的，否则一定会有“共同导通”！

发表于 2010-3-31 10:24

是有时序控制的，同时还希望用那两个二级管约束下。

理论上同侧的两个管子是不会同时导通的。实际上由于器件延迟问题，存在竞争冒险的可能。

发表于 2010-3-31 19:13

按我的电路改吧，一个输入端，简单方便，绝对无"冒险"!

发表于 2010-3-31 19:27

xwj, maychang过来看看，这下还烧管子不？

登录 · 发表于 2010-4-1 09:42

提供一个电路，可行的。

发表于 2010-4-1 09:46

JP1~JP4 是跳帽。控制死区时间用的。
死区时间也可以通过电容的改变实现

H电桥电路死区？

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