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附件是一个E类放大器的经典结构图，各参数如下：C0=470nF,,C1=6.8nF,L1=100uH,扼流线圈L0=1.2mH,负载电阻Rload=40欧，MOSFET用的是IRF630，其最大电流是9A，最大电压是200v。当电源电压VDD=5V，门极信号为频率f=200KHz,幅值为4.5V，占空比为50%的方波信号时，电路正常工作，MOSFET芯片不发烫，但是当其他条件不变，把方波的幅值调到4.6V时，MOSFET芯片过3分钟后就很烫，这让我相当困惑，请问这是为什么，还有就是我的最终目的是为了升高负载上的输出电压，我应该怎么办，望高手指教，先谢了 |
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