附件是一个E类放大器的经典结构图,各参数如下:C0=470nF,,C1=6.8nF,L1=100uH,扼流线圈L0=1.2mH,负载电阻Rload=40欧,MOSFET用的是IRF630,其最大电流是9A,最大电压是200v。当电源电压VDD=5V,门极信号为频率f=200KHz,幅值为4.5V,占空比为50%的方波信号时,电路正常工作,MOSFET芯片不发烫,但是当其他条件不变,把方波的幅值调到4.6V时,MOSFET芯片过3分钟后就很烫,这让我相当困惑,请问这是为什么,还有就是我的最终目的是为了升高负载上的输出电压,我应该怎么办,望高手指教,先谢了 |