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熟悉E类放大器或者MOSFET得高手请帮帮忙

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楼主
附件是一个E类放大器的经典结构图,各参数如下:C0=470nF,,C1=6.8nF,L1=100uH,扼流线圈L0=1.2mH,负载电阻Rload=40欧,MOSFET用的是IRF630,其最大电流是9A,最大电压是200v。当电源电压VDD=5V,门极信号为频率f=200KHz,幅值为4.5V,占空比为50%的方波信号时,电路正常工作,MOSFET芯片不发烫,但是当其他条件不变,把方波的幅值调到4.6V时,MOSFET芯片过3分钟后就很烫,这让我相当困惑,请问这是为什么,还有就是我的最终目的是为了升高负载上的输出电压,我应该怎么办,望高手指教,先谢了

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沙发
xiaohuahau|  楼主 | 2010-4-1 08:51 | 只看该作者
??        :(

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板凳
xiaohuahau|  楼主 | 2010-4-7 16:25 | 只看该作者
:(
厄,我自己试了一下,把负载电阻变小的话,输出电压会升高很多,但依然是VGS增加0.1V,输出电压会变化很大,而且有时候MOSFET芯片会发烫,还有个问题是每次加入信号后腰大概十分钟才稳定

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地板
corset| | 2010-4-7 18:58 | 只看该作者
把L1减小点,或者把C1增大点试试

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