STM32F469DISCOVERY评测分享——CUBE配置SDRAM

只看该作者 · 2016-11-30 15:22

楼主在上周末一口气写了三篇评测，这次第三波的测评选择了这块板子上的SDRAM做一下测评，同样地，**和大家分享CUBE的使用心得：

首先去找DISCOVERY板子上的SDRAM芯片型号

在官网提供的数据手册中写得很清晰，镁光公司的内存芯片，型号为：MT48LC4M32B2B5-6A。（文件已附在附件中）芯片的基本特性参数如图

内存128M，数据总线32位宽等。

这段话是论坛大牛提到的内容，我也认真地看了一下，并且在网上找到一篇**（见附件）：

/***********************************************************************************************************大牛原话

对于SDRAM来说，有几个参数对其性能影响至关重要，它们是tRCD，CL，tRP，tWR。

tRCD:在发送列读写命令时必须要与行有效命令有一个间隔，这个间隔被定义为tRCD，即RAS to CAS Delay（RAS至CAS延迟），可以理解为行选通周期，这应该是根据芯片存储阵列电子元件响应时间（从一种状态到另一种状态变化的过程）所制定的延迟。广义的tRCD以时钟周期（tCK，Clock Time）数为单位，比如tRCD=2，就代表延迟周期为两个时钟周期，具体到确切的时间，则要根据时钟频率而定，对于IS42S16400J-7TL，tRCD为15ns。

CL（CAS Latency）：在选定列地址后，就已经确定了具体的存储单元，剩下的事情就是数据通过数据I/O通道（DQ）输出到内存总线上了。但是在CAS发出之后，仍要经过一定的时间才能有数据输出，从CAS与读取命令发出到第一笔数据输出的这段时间，被定义为CL（CAS Latency，CAS潜伏期）。由于CL只在读取时出现，所以CL又被称为读取潜伏期（RL，Read Latency）。CL的单位与tRCD一样，为时钟周期数，具体耗时由时钟频率决定。数据写入的操作也是在tRCD之后进行，但此时没有了CL（CL只出现在读取操作中）。对于IS42S16400J-7TL，CL可取2或3个周期。

tRP：在发出预充电命令之后，要经过一段时间才能允许发送RAS行有效命令打开新的工作行，这个间隔被称为tRP（Precharge command Period，预充电有效周期）。和tRCD、CL一样，tRP的单位也是时钟周期数，具体值视时钟频率而定。对于IS42S16400J-7TL，tRP为15ns。

tWR：数据并不是即时地写入存储电容，因为选通三极管（就如读取时一样）与电容的充电必须要有一段时间，所以数据的真正写入需要一定的周期。为了保证数据的可靠写入，都会留出足够的写入/校正时间（tWR，WriteRecovery Time），这个操作也被称作写回（Write Back）。对于IS42S16400J-7TL，tWR为2个周期。

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本帖的目的还是侧重CUBE的使用经验，以及对板子的外设进行评测实验，因此，关于SDRAM的细节内容不再多做介绍。耐心地啃完数据手册，查阅完自己不懂的地方之后，便可以直接新建CUBE的板级工程了。

时钟及片选通过板子预标记的橙色标识可以看出选用的通道0通道，0号片选。其次是bank，这边对应上SDRAM芯片，可以选择4bank，地址线选择最大的12根，数据线选择32位。使能32位字长。其中关于地址线和数据线的位长，一开始我也没法确定，但在板级工程右边预标记的橙色内容中，便可以很轻易地确定这两个参数。6右侧密密麻麻的引脚使能，如果自己一个个去点，也得去查原理图。这里还是查询了一下原理图确定自己的配置没有错。