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电磁铁的控制回路

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Nois|  楼主 | 2016-12-13 20:24 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
自己模仿一个开关电路做了一个小信号控制大电流电路;主要是用来控制电磁铁的通断。
左边直接接MCU的输出PIN,有一个问题就是没想明白。

1.Q13的E极和C极上的电阻选型,需要注意什么?
因为我自己想选用的是R31:10K, R37:100K, 主要考虑原因是Q14的驱动电压和Q13B极的压降控制。

但是一个高工建议改为R31:10R, R37:10K,说是可以加快控制的反应速率。

现在自己想不明白,望大家指点一下。
另外如果从完整的设计方向,需要如何去考虑电阻的选型呢?

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manbo789| | 2016-12-14 08:20 | 只看该作者
MOS管前面的全部干掉,

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Nois|  楼主 | 2016-12-14 09:05 | 只看该作者
manbo789 发表于 2016-12-14 08:20
MOS管前面的全部干掉,

为什么?
是更换电阻后,还是更换之前?
因为我实际搭建了电路是可以的。补充下,VCC是15V,BAT+是18v

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maychang| | 2016-12-14 13:34 | 只看该作者
Nois 发表于 2016-12-14 09:05
为什么?
是更换电阻后,还是更换之前?
因为我实际搭建了电路是可以的。补充下,VCC是15V,BAT+是18v ...

同意2楼manbo789。
2楼说“全部干掉”,是指R38、Q15、R39、R42、R31、Q13统统去掉。去掉的条件是Solenoid电压足够使MOS管导通(R36可以适当减小)。

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5
tyw| | 2016-12-14 13:52 | 只看该作者
maychang 发表于 2016-12-14 13:34
同意2楼manbo789。
2楼说“全部干掉”,是指R38、Q15、R39、R42、R31、Q13统统去掉。去掉的条件是Solenoi ...

直通应该没问题.


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6
maychang| | 2016-12-14 13:57 | 只看该作者
tyw 发表于 2016-12-14 13:52
直通应该没问题.

要是Solenoid电压只有3.3V,又遇到了一支Vgs较高的MOS管,可能出现MOS管不能充份导通问题。若Solenoid电压为5V就完全可以。

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资深技术| | 2016-12-14 14:11 | 只看该作者
前面电路全部干掉是错的。
那位高工说的是对的,只是他忽略了一个问题,BC807的峰值电流有点小,应该选个大些的。
另外这个电路不能实际应用。

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8
tyw| | 2016-12-14 14:27 | 只看该作者
本帖最后由 tyw 于 2016-12-14 14:28 编辑
maychang 发表于 2016-12-14 13:57
要是Solenoid电压只有3.3V,又遇到了一支Vgs较高的MOS管,可能出现MOS管不能充份导通问题。若Solenoid电 ...


老张说的是,太平点加级三极管,可随便折腾了,哈哈

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9
cool_coder| | 2016-12-14 16:08 | 只看该作者
减小阻值是出于加速驱动的考虑,选上百 k 的电阻,要考虑 MOSFET 的栅极电容影响。如果不想自己麻烦去设计栅极驱动电路,找个现成的 IC 也不错。另外,驱动电磁铁不仅仅是简单的通断控制。

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毅小祥| | 2016-12-14 16:41 | 只看该作者
XUEXI

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yangxf1217| | 2016-12-14 17:31 | 只看该作者
资深技术 发表于 2016-12-14 14:11
前面电路全部干掉是错的。
那位高工说的是对的,只是他忽略了一个问题,BC807的峰值电流有点小,应该选个大 ...

楼主不是说可以工作了吗?哥们,你怎么说不可实际应用?

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12
Nois|  楼主 | 2016-12-15 10:12 | 只看该作者
maychang 发表于 2016-12-14 13:57
要是Solenoid电压只有3.3V,又遇到了一支Vgs较高的MOS管,可能出现MOS管不能充份导通问题。若Solenoid电 ...

是的,同意,PIN脚输出只有3.3V

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Nois|  楼主 | 2016-12-15 10:13 | 只看该作者
资深技术 发表于 2016-12-14 14:11
前面电路全部干掉是错的。
那位高工说的是对的,只是他忽略了一个问题,BC807的峰值电流有点小,应该选个大 ...

现在这个是实际没有搭建,我搭建的是R31 10K; R37 100K

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14
Nois|  楼主 | 2016-12-15 10:15 | 只看该作者
cool_coder 发表于 2016-12-14 16:08
减小阻值是出于加速驱动的考虑,选上百 k 的电阻,要考虑 MOSFET 的栅极电容影响。如果不想自己麻烦去设计 ...

主要是没使用过,相关的IC,但是在另外一方面,电磁铁的控制就是要防止反电动势,还需要考虑哪里?
另外请教下前辈,有何种方法可以去计算电磁铁的反电动势的模拟值?

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Nois|  楼主 | 2016-12-15 10:21 | 只看该作者
maychang 发表于 2016-12-14 13:34
同意2楼manbo789。
2楼说“全部干掉”,是指R38、Q15、R39、R42、R31、Q13统统去掉。去掉的条件是Solenoi ...

原来是说拿掉的意思,我这样做是为了能更稳定的去控制Q14,另外就是可以硬件和软件是同逻辑,避免断电和持续通电的问题。

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16
maychang| | 2016-12-15 11:31 | 只看该作者
Nois 发表于 2016-12-15 10:15
主要是没使用过,相关的IC,但是在另外一方面,电磁铁的控制就是要防止反电动势,还需要考虑哪里?
另外 ...

“有何种方法可以去计算电磁铁的反电动势的模拟值?”
电磁铁的电动势完全取决于电磁铁中磁通的变化。想让电动势高,就设法让磁通变化快一些,想让电动势低,就设法让磁通变化慢一些。

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maychang| | 2016-12-15 11:41 | 只看该作者
Nois 发表于 2016-12-15 10:13
现在这个是实际没有搭建,我搭建的是R31 10K; R37 100K

“我搭建的是R31 10K; R37 100K”
实在没有必要。
因你的信号幅度只有3.3V,加电压放大是有必要的。但首帖中说“一个高工建议改为R31:10R, R37:10K,说是可以加快控制的反应速率”则没有必要,因为在电子电路中看,电磁铁动作相当慢,没有必要“加快控制的反应速率”。
因为是开关工作,R31没有必要使用(应该短路掉)。

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18
Nois|  楼主 | 2016-12-15 13:07 | 只看该作者
maychang 发表于 2016-12-15 11:41
“我搭建的是R31 10K; R37 100K”
实在没有必要。
因你的信号幅度只有3.3V,加电压放大是有必要的。但首 ...

确实,一个是ns或us级别的反应,应用在ms级别的控制,说出来,都知道是浮云。
R31是可以短路,谢谢指点~

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19
资深技术| | 2016-12-15 13:37 | 只看该作者
R31短接会使BC807峰值电流增大

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20
Nois|  楼主 | 2016-12-18 11:06 | 只看该作者
资深技术 发表于 2016-12-15 13:37
R31短接会使BC807峰值电流增大

我还是保留了~

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