本帖最后由 数码小叶 于 2016-12-16 14:41 编辑
上两个帖子： 【STM32F769I-DISCO】一：板卡硬件部分 ；【STM32F769I-DISCO】二：官方自带例程测试体验 ；已经可以看出不论是STM32F769I-DISCO的配置还是界面处理都很强悍，这个帖子就来实际测试下，强大的F7的功耗到底咋样 。
整个板子通过电脑的usb口供电
电压被拉到了4.88V，果断换独立的充电头
毕竟笔记本的usb口输出能力有限。拆下屏幕后，再来一测
电流立马下来了。
接下来再进行进一步测试，只测试F769I这颗片子的功耗。
STM32F769I-DISCO这块板子的供电选择很丰富，查看原理图可以发现，要想直接测试电流可不太容易实现，没有像nucleo一样预留跳线帽，不过办法还是有的，结合原理图
就是这个0 ohm的R109，如果把它给拆了，就可以通过这里测芯片的电流了。
也就是板子上的这个位置
因为没上风枪，用烙铁调到400多度的最高温度都拆了很久，因为下面的铺铜太给力了
测试设备：
HT1951万用表(5 1/2)，测量范围是10nA到10A，有10mA、100mA、1A、10A四个量程，10A的最大分辨率是100nA。
测试软件：
keil 5.15+PWR_CurrentConsumption库工程
万事俱备，开始测试，分5个模式测试：
Sleep Mode、STOP Mode、STANDBY Mode、STANDBY Mode +RTC、STANDBY +SRAM
各个模式测量，
一：Sleep Mode
- System Running at PLL (216MHz)
- Flash 5 wait state
- Instruction and Data caches ON
- Prefetch ON
- Code running from Internal FLASH
- All peripherals disabled.
- Wake-up using EXTI Line (USER Button)
测试结果：
Datasheet 中的数据：
基本和Datasheet 中的数据一致，不过真算下来应该高一点，这温度低得多
二：STOP Mode
- RTC Clocked by LSI
- Regulator in LP mode
- HSI, HSE OFF and LSI OFF if not used as RTC Clock source
- No IWDG
- FLASH in deep power down mode
- Automatic Wake-up using RTC clocked by LSI (after ~20s)
测试结果：
Datasheet 中的数据：
三：STANDBY Mode
- Backup SRAM and RTC OFF
- IWDG and LSI OFF
- Wakeup using WakeUp Pin (USER Button )
测试结果：
Datasheet 中的数据：
四：STANDBY Mode +RTC
- RTC Clocked by LSI
- IWDG OFF and LSI OFF if not used as RTC Clock source
- Backup SRAM OFF
- Automatic Wake-up using RTC clocked by LSI (after ~20s)
测试结果：
Datasheet 中的数据：
五：STANDBY +SRAM
- RTC Clocked by LSI
- IWDG OFF and LSI OFF if not used as RTC Clock source
- Backup SRAM ON
- Automatic Wakeup using RTC clocked by LSI (after ~20s)
测试结果：
Datasheet 中的数据：
测试完毕。
通过实际测试，可以看出确实达到了ST所宣称的较低静态功耗。
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