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各位大虾:<br /><br /> 我是一个初学者,在看MCR100-4的DATASHEET遇到了些问题,不是很能理解其意义.希望能得到你的指点.<br /><br /> 1)dv/dt:断态电压临界上升率(Critical rate of rise of off-state voltage);我的理解是不是保持可控硅一直处于断态,在阳极施加的电压上升率不能超过此值,否则有可能损坏器件或者错误触发?但是DATASHEET上面<br />表示的是di/dt最小为:20V/us.按道理应该是最大才对呀.<br /><br /> 2)di/dt:通态电流电流临界上升率(Critical rate of rise of on-state <br />current);我查的有些资料是说要是可控硅从阻态到通态给门控极加的触发电流的上升率必须大于此值,否则有可能损坏器件或者无法触发.但是DATASHEET上面<br />表示的是di/dt最大为:50A/us.按道理应该是最小才对呀.<br /> 相关链接:<a href='https://bbs.21ic.com/upfiles/img/200710/2007109115835321.pdf'>https://bbs.21ic.com/upfiles/img/200710/2007109115835321.pdf</a> |
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