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疑问：非易失性存储器读写次数

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benjamin_2010|  楼主 | 2010-4-7 22:57 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
读写, 非易失性存储器, EEPROM, EPROM, flash
朋友们，非易失性存储器的读写周期一般是多少呢？
举例eeprom 有读写100万周期的。
一般如nor flash是多少个读写周期呢！
如果产品要求能读写300万，可以用什么方法实现的到吗？

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沙发
iC921| | 2010-4-8 04:10 | 只看该作者
这个不是应用上的问题

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板凳
ejack| | 2010-4-8 07:59 | 只看该作者
如果真的有频繁读写可靠性的强制要求，我想只有硬件冗余了。

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地板
HWM| | 2010-4-8 08:03 | 只看该作者
这还确实是应用上的问题！

首先，这不叫“读写周期”，那叫“读写寿命”（其实读不影响寿命）。Flash 的读写寿命在几万次（乃至十几万次）是没有问题的（这是最坏估计）。但这还是一个问题。为了解决这个问题，通常采用“均衡耗损”（Wear Leveling）的方法，使一个逻辑存储块“平均随机”地动态映射到具体的物理快。利用这样的机制可以延长 Flash 的使用寿命。

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