发新帖我要提问
返回列表
打印

疑问：非易失性存储器读写次数

[复制链接]
2564|3
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
benjamin_2010|  楼主 | 2010-4-7 22:57 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
读写, 非易失性存储器, EEPROM, EPROM, flash
朋友们，非易失性存储器的读写周期一般是多少呢？
举例eeprom 有读写100万周期的。
一般如nor flash是多少个读写周期呢！
如果产品要求能读写300万，可以用什么方法实现的到吗？

使用特权

评论回复 赏

相关下载

相关帖子
沙发
iC921| | 2010-4-8 04:10 | 只看该作者
这个不是应用上的问题

使用特权

评论回复 赏
板凳
ejack| | 2010-4-8 07:59 | 只看该作者
如果真的有频繁读写可靠性的强制要求，我想只有硬件冗余了。

使用特权

评论回复 赏
地板
HWM| | 2010-4-8 08:03 | 只看该作者
这还确实是应用上的问题！

首先，这不叫“读写周期”，那叫“读写寿命”（其实读不影响寿命）。Flash 的读写寿命在几万次（乃至十几万次）是没有问题的（这是最坏估计）。但这还是一个问题。为了解决这个问题，通常采用“均衡耗损”（Wear Leveling）的方法，使一个逻辑存储块“平均随机”地动态映射到具体的物理快。利用这样的机制可以延长 Flash 的使用寿命。

使用特权

评论回复 赏
返回列表
发新帖 我要提问
高级模式
B Color Image Link Quote Code 收费 Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

benjamin_2010

0

主题

46

帖子

1

粉丝