【转】SIM卡读卡器的研究与设计

SIM卡(Subscriber Identity Module)。即用户识别模块，是一张符合GSM规范的"智慧卡"。SIM卡可以插入任何一部符合GSM规范的移动电话中，"实现电话号码随卡不随机的功能"，而通话费则自动计入持卡用户的帐单上，与手机无关。

SIM卡作为智能卡中特殊的一类卡，采用标准的接触式IC卡。他受到ISO7816标准(接触式集成电路IC卡的规定)和ETSI(欧洲电信标准委员会)的GSM11.11等标准的规范。他沿袭了智能卡在安全中的特色，并在移动用户认证和移动商务中扮演重要的角色。

目前手机用户将一些重要的电话号码都储存在手机的SIM卡上。如果手机失窃，用户可以买一部新的，但是储存的号码怎么办呢?如果用户能事先将储存在SIM卡上的电话号码做一份电子拷贝，这样就算手机丢失了，用户还是可以很容易地将保存的号码写入到新的SIM卡里。为此，研究并设计了SIM卡读卡器，通过他可以将手机SIM卡中信息读取到电脑中，方便地实现电话簿和短消息的编辑、备份和管理。为经常使用手机的用户提供了一个经济、便捷的信息备份管理解决方案。

2 SIM卡常识

SIM卡是一张符合GSM规范"智能卡"，他实际上是一个装有微处理器的芯片卡，内部有5个模块，且每个模块都对应一个功能：CPU(8位)、程序存储器(3～8 kb)、工作存储器(6～16 kb)、数据存储器(128～256 kb)和串行通信单元。SIM卡能实现存储数据(电话本、短消息等)和在安全条件下(个人身份号码PIN、鉴权钥Ki正确)完成客户身份鉴权和客户信息加密算法的全过程。这些功能都是由SIM卡内的一部具有操作系统的微处理机完成。SIM卡具有机卡分离(SIM-ME接口)、通信安全可靠、成本低等特点。

(1) SIM卡的物理特征：可以分尺寸为54 mm×84 mmID-1 SIM(大卡)和尺寸为25 mm×15 mmPlug-in SIM(小卡)两种。

(2) SIM卡的存储容量：一般SIM卡有8 kB的存储容量，另外还有容量分别为16 k和32 k的SIM卡，即STK SIM卡。

(3) SIM卡的使用温度：标准温度-25～+70℃，极限温度-35～85℃，极限情况下每次使用不得超过4小时，总共使用不得超过100次。

(4) SIM卡的使用寿命：物理寿命是取决于客户的插拔次数，约在1万次左右；而集成电路芯片的寿命取决于数据存储器的写入次数，不同厂家其指标有所不同，就Mo-torola经试验室试验约5万次左右。平均寿命约为4年。

3 SIM卡与移动台设备的接口

SIM卡芯片有8个触点，与移动台设备相互接通：

(1) 电源VCC(触点C1)：4.5～5.5 V，ICC<10 mA；

(2) 复位RST(触点C2)；

(3) 时钟CLK(触点C3)：卡时钟3.25 MHz；

(4) 不提供(触点C4)；

(5) 接地端GND(触点C5)；

(6) 编程电压VPP(触点C6)；

(7) 数据I／O口(触点C7)；

(8) 不提供(触点C8)。

SIM卡同移动台设备连接时至少需5个连接线：数据I／O口(Data)、复位(RST)、接地端(GND)、电源(VCC)、时钟(CLK)。他与基带单元的接口电路如图1所示。其中SIM CD为SIM卡检测脚，用于检测SIM卡的拔插；SIM CLK为ME提供的读／写SIM卡的参考时钟；SIMRST为SIM卡复位信号；SIM IO为串行数据输入／输出线，由20 kΩ上拉电阻上拉至高电平；SIM RnW为读／写控制信号，用以指示当前SIM_IO线上数据传输的方向；SIM PWCTRL为功率控制信号，可在空闲方式时控制SIM卡上的电源关闭，从而降低功耗，延长待机时间。

4 SIM卡内部数据结构

SIM卡共有3类数据文件：主文件(Master File，MF)、专用文件(Dedicate File，DF)、基本文件(ElementFile，EF)。组织结构规定如下：

0x3F00代表根目录，0x2FXX代表根目录下的基本文件；

0x7FXX代表一级子目录，0x6FXX代表一级子目录下的基本文件；

0x5FXX代表二级子目录，0x4FXX代表二级子目录下的基本文件。

5 SIM卡上电复位流程

SIM卡符合国际标准ISO7816的要求，按照协议中的规定，SIM应有8个触点，包括电源接口、复位控制接口、时钟输入接口、数据输入输出接口，SIM卡工作时整体电流消耗小于10 mA。SIM卡的时钟频率可由外部提供，在指定时问内运行鉴权过程时至少需要13／4 MHz的时钟频率，其他情况下，使用最小为13／8 MHz的时钟频率。I／O端口的数据传输波特率为时钟频率的1／372。

5.1 触点接通与冷复位时序(Activation and cold reset)

初始时，所有端口皆处于低电平(L)态，电压范围0～0.4 V；VCC电源电压先上电(H态)，后提供VPP编程电压，在智能SIM卡中，VPP端无用，电压范围5 V±0.4 V；VCC电源端稳定一段时间后，将IO端口置为接收方式(H态)，并提供稳定的CLK时钟信号(注：IO口需在提供CLK信号前或在提供CLK信号后200个时钟周期内(ta)置为接收方式)；RST复位信号需在提供CLK信号后400个时钟周期内(tb)保持L态，之后才可置为H态；提供复位信号后400～40 000个时钟周期内(tc)，I／O口有复位应答。

5.2 热复位时序(Warm reset)

热复位在冷复位失败情况下使用，过程中保持VCC为H态，且有稳定的CLK时钟信号；热复位时需保持RST端为L态的时间至少为400个时钟周期(te)；在RST端置L态之前或之后200个时钟周期时间内(td)，IO口应置为接收方式；在RST置为H态后的400～40 000个时钟周期内，I／O口有复位应答。

5.3 时钟停止时序(Clock stop)

外部控制停止时钟，可使SIM卡通信暂时中断，过程中保持VCC端与复位端RST为H态；要停止时钟，需在I／O口输出最后一个字符之后等待至少1 860个时钟周期(tg)；恢复时钟后至少等待700个时钟周期(th)，I／O开始有字符输出。

5.4 触点释放时序(Deactivation)

将RST端置为L态；结束CLK输入并将I／O口置为L态；最后将VCC端置为L态。

5.5 SIM卡的复位应答

SIM卡的触点被激活之后，终端启动一个冷复位。如果SIM卡在冷复位后回送的字节数不符，或在19 200个初始etu之内复位应答未完成，终端不立即终止卡片操作过程，而是再发一个热复位信号。如果仍然得到同样的结果，那么，接口没备应释放触点，否则卡将继续进行后续操作。流程如图6所示。

复位应答最多为32个字节(包括历史字符，不包括初始字符)，其中历史字符最多为15个字符，协议分为T=O与T=1两种，一张SIM卡只支持其中的一种协议。位持续时间：在IO上的位持续时间被定义为一个基本时间单元etu。复位应答期间的位持续时间称为"初始etu"。初始etu=372／fs=372个时钟周期。复位应答之后的位持续时间称为"当前etu"，当前etu=F／D／fs。F为时钟频率变换因数，D为比特率调整因数，均在SIM卡复位应答的接口字符TA1中给出，缺省值为F=372，D=1，即复位应答之后的当前etu=初始etu。复位应答过程中相连两字符起始位前沿之间的最小时间间隔为12个初始etu，最大时间间隔为9 600个初始etu，所有应答字符在19 200个初始etu的时间内传送完，即从第一个字符的起始位前沿到最后一个字符起始位前沿后的12个初始etu结束)。

复位应答格式：

TS 初始字符(强制性的)，确定后续字符传送顺序(高位先送还是低位先送)；

TO 格式字符(强制性的)；

TA1／TB1／TC1／TD1～TAi／TBi／TCi／TDi 接口字符(选择性的)；

T1～TK历史字符(选择性的)；

TCK 校验字符(有条件的)T=0时不出现。