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[电子元器件]

二极管接法的三极管

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lbz053273|  楼主 | 2017-2-14 17:25 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
xukun977| | 2017-2-14 17:35 | 只看该作者
哪个都不是!
即便是,也是巧合!

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板凳
lbz053273|  楼主 | 2017-2-14 18:07 | 只看该作者
xukun977 发表于 2017-2-14 17:35
哪个都不是!
即便是,也是巧合!

那方向击穿电压是看哪个参数的

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地板
lbz053273|  楼主 | 2017-2-14 19:36 | 只看该作者

确定吗?

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5
yuanzhoulu| | 2017-2-14 19:38 | 只看该作者
55V,这个参数叫BVcer还是啥记不清了,就是be接一电阻时的耐压。有时候彩电烧行管就是这个原因,基极不能提供正常的反压,管子耐压就由BVcbo降为BVceo,于是击穿。

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6
xukun977| | 2017-2-14 19:46 | 只看该作者
yuanzhoulu 发表于 2017-2-14 19:38
55V,这个参数叫BVcer还是啥记不清了,就是be接一电阻时的耐压。有时候彩电烧行管就是这个原因,基极不能提 ...

BVces!

介于ceo和cbo之间!

把e短接的目的是减小存储时间。

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参与人数 1威望 +2 收起 理由
lbz053273 + 2 很给力!
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yuanzhoulu| | 2017-2-14 20:27 | 只看该作者
xukun977 发表于 2017-2-14 19:46
BVces!

介于ceo和cbo之间!

哦,曾经专门试过不同情况下的耐压,记不清了,有的情况下还有负阻效应。
“把e短接的目的是减小存储时间”是什么意思?把be短接时比只接b要速度快?一般快多少?

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