看了几篇关于Flash问题的联想

发表于 2010-4-14 17:54

看了几篇关于内置Flash的帖子，想起设计中可能利用上，但有些疑点想咨询一下：
1、内置的Flash可以保存数据（但帖子中都描述是烧录的时候保存为Const）,不知道是否可以在程序运行期间进行数据的改写（不能是使用RAM哦）。
2、如果上面的方法可以，那么在改写数据的时候，需要擦除，是否有NandFlash的特性，例如块和页的概念。
3、其读取的速度和外挂的NANDFlash相比，会快些吗？理论上会快多少？

暂时想到这些。
谢谢！

发表于 2010-4-14 18:06

1）可以，请看PM0042 - STM32F10xxx Flash programming

2）是的，同样看PM0042

3）数据手册中有具体参数，你可以比较一下。

发表于 2010-4-14 18:11

读取的速度没的说，呵呵，干干的，不需要看数据手册。

发表于 2010-4-15 16:08

非常感谢！再加一条：4、内置的Flash是否有坏块的问题出现！若有，该如何处理。（外挂的NANDFlash是有坏块标识的）

发表于 2010-4-15 17:36

呵呵，我也想了解这个问题呢。

发表于 2010-4-15 18:11

程序运行期间进行数据的改写，好像跟在线仿真两个概念

发表于 2010-4-15 19:01

非常感谢！再加一条：4、内置的Flash是否有坏块的问题出现！若有，该如何处理。（外挂的NANDFlash是有坏块标识的）
roc_qiu 发表于 2010-4-15 16:08

1）从来没有人碰到过这种问题。NOR Flash不像NAND Flash这么容易有坏块。

2）如果内置的Flash出现坏块，这片MCU就算废了。

发表于 2010-4-16 11:15

6楼的怎么提到在线仿真的事情了，让我有点云里雾里的。

发表于 2010-4-16 11:18

谢谢香版的支持。
鉴于目前的状况，我们准备将存储在外挂Flash的数据换到内置Flash中来，从而提高读取的速度（反正外挂Flash和内置Flash的擦除寿命是一样的）。
有问题再来咨询！
谢谢！

发表于 2010-10-4 18:32

不好意思！离职后一直没有时间来管理贴子！
谢谢各位了！

看了几篇关于Flash问题的联想

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