P沟道MOS管压降太大

发表于 2017-2-28 11:54

用P沟道MOS（FDN302P 内阻55mΩ）管做电源的开关，前级加S8050 NPN型三极管控制，电路图中用LED充当负载，当负载电流1A左右时电压下降0.5V 2A负载时压降1.2V
请问电路图哪里不对吗？为啥压降会这么大？求高手解答

登录 · 发表于 2017-2-28 11:55

本帖最后由 wangchaoran 于 2017-2-28 16:22 编辑

电路图如下

发表于 2017-2-28 12:07

驱动力不够。

发表于 2017-2-28 14:29

能否说的明白一点，那个驱动力不够，是加在源极的电压太小了吗？

发表于 2017-2-28 14:30

zyj9490 发表于 2017-2-28 12:07
驱动力不够。

能否说的明白一点，那个驱动力不够，是加在源极的电压太小了吗？

发表于 2017-2-28 14:46

选低压版驱动的MOS

发表于 2017-2-28 15:01

一事无成就是我发表于 2017-2-28 14:46
选低压版驱动的MOS

现在板子已经做好，能否在此基础上修改？

发表于 2017-2-28 15:03

wangchaoran 发表于 2017-2-28 14:30
能否说的明白一点，那个驱动力不够，是加在源极的电压太小了吗？

电流不足

发表于 2017-2-28 15:09

R4太大了，驱动电流不足

发表于 2017-2-28 15:32

wangchaoran 发表于 2017-2-28 14:30
能否说的明白一点，那个驱动力不够，是加在源极的电压太小了吗？

VGS不够大。

发表于 2017-2-28 15:34

wangchaoran 发表于 2017-2-28 11:55
电路图如下

你这种电路不适合在低边驱动，因为有负载，形成电流负反馈，较难工作在开关态上，用错还是画错，这样画，必须是N管才对。P管S极在高边。

发表于 2017-2-28 15:37

VGS（TH）是多少，gm是多少，有没有估计过啊。

登录 · 发表于 2017-2-28 15:52

wangchaoran 发表于 2017-2-28 11:55
电路图如下

错误太多了，三级管，驱动能力你有没有考虑，同时控制PMOS不能串如那么大的电阻，电路图好像画错

发表于 2017-2-28 16:00

sp232+nmos

发表于 2017-2-28 16:04

R4的470k改为10欧姆试试

发表于 2017-2-28 16:48

zyj9490 发表于 2017-2-28 15:32
VGS不够大。

应该怎么做修改呢？

发表于 2017-2-28 16:48

zyj9490 发表于 2017-2-28 15:34
你这种电路不适合在低边驱动，因为有负载，形成电流负反馈，较难工作在开关态上，用错还是画错，这样画， ...

器件画错了，现在已经修改了，我确实要用P沟道做开关的

发表于 2017-2-28 16:52

wangchaoran 发表于 2017-2-28 16:48
应该怎么做修改呢？

如果，电源是5V的，只能采用低VTH，高GM的Pmos管。

发表于 2017-2-28 17:06

whtwhtw 发表于 2017-2-28 16:04
R4的470k改为10欧姆试试

已经修改，压差反而更大了，现在1A负载已经有1.2V了

发表于 2017-2-28 20:48

好帖，必须支持一下！

[电路/定理] P沟道MOS管压降太大