请教香主,关于FSMC的时序计算。

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 楼主| WX1986 发表于 2010-4-15 13:38 | 显示全部楼层 |阅读模式
看了AN2784,关于NOR FLASH时序计算的问题,如图。不明白其地址建立时间、地址保持时间、数据建立时间是怎么算出来的。
按照文档所说的,HCLK为72Mhz,约为14ns,那么按照第二个公式计算
DATAST*14=45,即是DATAST=3.2,此处取3(不知可否)
再按第一个公式:(ADDSET+5)*14=70,即ADDSET=0.
再按第三个公式调整:DATAST=106*72/1000-4=7.632-4=3.632,
不明白为什么变成6了,是计算的顺序不对吗?还有就是Tsu和Tv两个参数是固定的吗?好像在数据手册上找不到,请教,谢谢。
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香水城 发表于 2010-4-15 14:07 | 显示全部楼层
记得以前有一个帖子提出了类似的问题,是关于NAND Flash时序的计算,应用笔记中给出的数值与计算出的数值不相符,经过与应用笔记的作者沟通,他的意思是:计算结果是一个最小可能的取值,为了保证较宽的兼容性,他给出了比计算结果更宽的时间限制。

所以说只要你采用的数值大于计算出的数值,就没有问题,但不能小于计算出的结果。
 楼主| WX1986 发表于 2010-4-15 14:55 | 显示全部楼层
本帖最后由 WX1986 于 2010-4-16 14:22 编辑

首先,谢谢。
手册里没说是“为了保证较宽的兼容性,给出了比计算结果更宽的时间限制”这样的话,所以不知道。
还是很迷糊,再说AN2784里那个SRAM时序的计算,如下图。按照公式计算
先得DATAST=0.57(不知该如何取舍,先取0);
再由(ADDSET+2)*14=12得ADDSET=-1.14(同上取0);
最后校正得DATAST=3.456-4=-0.544(此处不知道Tsu和Tv两个参数是何处得来的,取得是和NOR FLASH计算时一样的参数36ns)。
不过结果的确是比我算的大啊,呵呵。
再次感谢香主的回复。
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香水城 发表于 2010-4-15 15:37 | 显示全部楼层
是的,**里确实没说是“为了保证较宽的兼容性,给出了比计算结果更宽的时间限制”这样的话,我已经反馈给这个应用笔记的作者,要求他们能够改善这篇**。
 楼主| WX1986 发表于 2010-4-15 16:14 | 显示全部楼层
谢谢香主,期待改善过的这篇**。
ypj005 发表于 2010-4-15 18:11 | 显示全部楼层
 楼主| WX1986 发表于 2010-4-16 14:03 | 显示全部楼层
Tsu和Tv两个数据找到了,在STM32F103xC、D、E数据手册中,如下图,贴出来,免得再不到的人再找了,不过不知道怎么算出Tsu+Tv=36ns的。
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huhu2009 发表于 2010-4-19 21:58 | 显示全部楼层
上次那个“提出了类似的问题”的帖子是我发的,呵呵
到后来也没搞明白,不过似乎关系不大,因为最终也没算出个满意的时间值,就取了较大值,结果运行良好
wxx116zh 发表于 2011-2-28 15:28 | 显示全部楼层
最近正在弄这东西,谢谢指点。
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