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CC2530 FLASH重复写入

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莫道|  楼主 | 2017-3-2 15:27 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 莫道 于 2017-3-3 14:51 编辑

新手求助
我用CC2530 从外部输入数据通过DMA写入FLASH,第一次写能写进去,以后再写就不行了
代码如下:
/*********** flash ******/
//定义DMA通道配置数据结构,每个DMA通道配置由8个字节组成;
//#pragma bitfields=reversed//采用大端格式的意思是用于几位的意思
                          //通知编译器完成特定的操作
typedef struct {

     uchar SRCADDRH;     //Byte 0 通道源地址 高位[15:8]
     uchar SRCADDRL;     //Byte 1通道源地址 地位[7: 0]
     uchar DESTADDRH;    //Byte 2通道目标地址 高位[15:8],flash存储器不可直接写
     uchar DESTADDRL;    //Byte 3通道目标地址 低位[7: 0],flash存储器不可直接写        
     uchar LENH:5;       //Byte 4 - Bit 4:0 DMA通道传送长度
     uchar VLEN:3;       //Byte 4 - Bit 7:5可变长度传送模式
     uchar LENL;         //Byte 5DMA通道传送长度
     uchar TRIG:5;       //Byte 6 - Bit 4:0; Timer 2, event pulse 1;选择要使用的DMA触发
     uchar TMODE:2;      //Byte 6 - Bit 6:5; Repeated single;DMA通道传送模式:重复单一模式
     uchar WORDSIZE:1;   //Byte 6 - Bit 7; Selects whether each DMA transfer is 8-bit (0) or 16-bit (1);传送长度8位还是16位
     uchar PRIORITY:2;   //Byte 7 - Bit 1:0;High, DMA has priority;DMA通道优先级:高
     uchar M8:1;         //Byte 7 - Bit 2  Use 7 LSB for transfer count;采用8th模式作为VLEN传送长度,仅应用在WORDSIZE =0且VLEN =000/111时;
     uchar IRQMASK:1;    //Byte 7 - Bit 3  Enable interrupt generation on DMA channel done;该通道的中断屏蔽
     uchar DESTINC:2;    //Byte 7 - Bit 5:4  Destination address increment mode (after each transfer);目标地址增量模式(传送之后)
     uchar SRCINC:2;     //Byte 7 - Bit 7:6  Source address increment mode (after each transfer);源地址增量模式(传送之后)

} DMA_DESC;
//#pragma bitfields=default //恢复默认的小端格式

/**********************************DMA 模式写数据************************************/
void WriteFlashDMA(uchar data[], int length, int flashadr)
{
//配置DMA通道每次传送一个字节
  DMA_DESC dmaConfig0;//定义DMA通道
  //MEMCTR|=0X07;//将bank 7 映射到Xdata区
  dmaConfig0.SRCADDRH  = ((int)data >> 8) & 0x00FF;   //XData 存储data的高8位;
  dmaConfig0.SRCADDRL  = (int)data & 0x00FF;          //存储data地址的低8位;
  dmaConfig0.DESTADDRH = (((int)&FWDATA) >> 8) & 0x00FF;     //存储写寄存器的地址的高8位
  dmaConfig0.DESTADDRL = ((int)&FWDATA) & 0x00FF;       //存储写寄存器的低8位;
  dmaConfig0.VLEN      = 0;                       //0=Fixed LEN Transfer//采用LEN作为传送长度
  dmaConfig0.LENH      = (length>>8) & 0x00FF;     //Must be Divisible by 4 - NET_ADDR_SIZE=4//存储传送长度高5位
  dmaConfig0.LENL      = length & 0x00FF;        //存储长度低8位;
  dmaConfig0.WORDSIZE  = 0;         // 0=8 Bit;每个DMA传送采用8位传送
  dmaConfig0.TMODE     = 0;         // 1=Block, 0=Single,传送模式为单一模式
  dmaConfig0.TRIG      = 18;        // 0=Manual Via DMAREQ, 18=Flash;flash触发
  dmaConfig0.SRCINC    = 1;         //  1=1 Byte//源地址增量模式为1字节/字
  dmaConfig0.DESTINC   = 0;         // 0=0 Bytes (Always Write to FWDATA, No Need to Increment)目标地址增量模式0字节/字
  dmaConfig0.IRQMASK   = 0;         //0=Disable Interrupts//禁止通道完成中断产生
  dmaConfig0.M8        = 0;         //0=Use All 8 Bits使用全部8位作为传送长度
  dmaConfig0.PRIORITY  = 2;         //10(2)=High Priority优先级为DMA优先
//DMA模式写
  while (FCTL & 0x80);     //等待写或擦除状态被激活
  /********* 存储写入flash页地址 ***********************************************/
  FADDRH =(flashadr >> 10) & 0x00FF;      // page size: 2048; select the flash page via FADDRH[7:1] bits//由于写入flash时是字(4字节)寻址的,所以存储高位需要右移2位;
  FADDRL =(flashadr >> 2) & 0x00FF;       //4字节寻址,存储要写入flash地址的低字节需要右移2位
  //通道0配置地址
  DMA0CFGH = (((int)&dmaConfig0) >> 8) & 0x00FF;    //Pass DmaConfig0         
  DMA0CFGL = ((int)&dmaConfig0) & 0x00FF;
  DMAIRQ = 0x01; //激活DMA通道0
  DMAARM |= 0x01;    //Arm the DMA Channel//通道0进去工作状态
  FCTL |= 0x02;     //Start Write
// while (!(DMAIRQ & 0x01));    //Wait Until Write Complete
// DMAIRQ &= 0xFE;        //Clear Any DMA IRQ on Channel 0 - Bit 0
  while (FCTL & (0x80));    //等待或者擦除状态激活
}

/***************flash 页擦除******************/
void Flash_PageErase(uchar byPage)
{
  EA=0;
  while(FCTL & 0x80);      //等待闪存控制器整备好
  FADDRH = byPage << 1;    //选择擦除的页面
  FCTL |= 0x01;            //启动页面擦除
  while(FCTL & 0x80);      //等待擦除完成
  EA=1;
}

/********flash 读数据到缓存buf中***************/
void Read_Flash_To_Buf(int read_adr, uchar *buf, uchar num_bytes)//read_adr=flashadr+0x8000
{  
unsigned char i;      
for( i=0; i<num_bytes; i++)
{
  buf=*(volatile char *)(read_adr + i);
}  

//外部写入
  case HEAD3:   
      memcpy(recv_buf,rf_rx_buf,sizeof(rf_rx_buf));
      Flash_PageErase(8);           //擦除FLASH页
      WriteFlashDMA(recv_buf,12,0x4100);  //写入FLASH
      memset(recv_buf,0,12);
      memset(rf_rx_buf,0,rf_rx_buf[1]);
      break;
//读取
Read_Flash_To_Buf(0xC100,t,12);    //从FLASH读出数据  


我试过页擦除之后直接读数据看,数据并没有变成0xFF,还是原来的数据,应该是擦除没有成功,这个是什么原因?

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沙发
dirtwillfly| | 2017-3-2 20:55 | 只看该作者
1、根据你的描述,问题应该就是擦除没成功。

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板凳
dirtwillfly| | 2017-3-2 20:56 | 只看该作者
2、这种需要占用大量flash的情况,一定要合理划分好flash的使用。数据写入的地址不要随意选。flash的页划分请参考数据手册

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地板
suzhanhua| | 2017-3-2 22:54 | 只看该作者
这个还真没有用过这个Flash呢。

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5
suzhanhua| | 2017-3-2 22:55 | 只看该作者

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6
莫道|  楼主 | 2017-3-3 09:06 | 只看该作者
dirtwillfly 发表于 2017-3-2 20:56
2、这种需要占用大量flash的情况,一定要合理划分好flash的使用。数据写入的地址不要随意选。flash的页划分 ...

没有擦除成功一般是什么原因?

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7
uiint| | 2017-3-3 13:42 | 只看该作者
是不是有保护地址也写入数据了。

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8
uiint| | 2017-3-3 13:43 | 只看该作者
CC2530没有做过内部的Flash烧写。

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9
莫道|  楼主 | 2017-3-3 14:15 | 只看该作者
uiint 发表于 2017-3-3 13:43
CC2530没有做过内部的Flash烧写。

你们都没用FLASH吗?那掉电的话怎么办的

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10
typeof| | 2017-3-4 21:35 | 只看该作者
地址写保护了吗

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11
typeof| | 2017-3-4 21:39 | 只看该作者
试试写入其他的Flash地址试试。

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12
szjlj168| | 2017-3-5 01:04 | 只看该作者
CC2530F256RHAR,用到的朋友吱一声

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13
aspoke| | 2017-3-5 17:32 | 只看该作者
你读写其他地址也是这个情况么

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14
aspoke| | 2017-3-5 17:32 | 只看该作者

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15
莫道|  楼主 | 2017-3-6 14:39 | 只看该作者
typeof 发表于 2017-3-4 21:39
试试写入其他的Flash地址试试。

试过了,第二次写入的时候值要么是0,要么没变

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16
莫道|  楼主 | 2017-3-6 14:40 | 只看该作者
aspoke 发表于 2017-3-5 17:32
你读写其他地址也是这个情况么

恩,还有一种情况是第二次写入之后值都是0

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17
plsbackup| | 2017-3-7 16:49 | 只看该作者
如果是写不进入,就是地址保护。

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18
plsbackup| | 2017-3-7 16:53 | 只看该作者
建议换个其他的地址试试,能不能写入数据

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19
Levenburg| | 2017-3-8 20:46 | 只看该作者
数据写入的地址不能随意选

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20
febgxu| | 2017-3-11 21:33 | 只看该作者
写的地址有问题么

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