负载短路ＭＯＳ管要烧坏

只看该作者 · 2009-2-7 22:44

该图是一个交流电源的过流保护电路图，我想做成短路保护电路，但现在遇到的问题就是当我短路负载两端ＭＯＳ管就烧掉了，怎样该电路的参数才能确保ＭＯＳ管不烧坏．

只看该作者 · 2009-2-7 23:02

补充一下，我用的方波的频率为３ＨＺ左右的，且方波低电平时间是８０us．四个整流二极管为１Ｎ５４０８．在过流的情况下，本人在调试过程中发现是过流的反馈电平对７４ＨＣ７４工作产生了影响，使得７４ＨＣ７４的Ｑ输出端的波形和它输入的方波信号的频率不一致，而且低电平时间比方波的的低电平时间更长很多．望大家多提出好的解决方案，谢谢．

只看该作者 · 2009-2-8 08:46

具体的耗散功率你可以根据P=(120-0.7-I*R15)*I
桥堆后最好加电容滤波，这样你计算电流时方便点。
解决过热的方法可以是在R16的左边串一个限流电阻。要不就换一个大功率的MOS管，加散热片。

只看该作者 · 2009-2-9 13:06

电路在短路的时候想想短路电流是多大，MOS上的电压是多高,电路保护反应的时间是多长,然后你就可以算出MOS管上的功耗了，这样MOS管就可以判断是否挂掉了。

2万 · 2009-2-9 13:44

电感上再反向并联一个快速二极管

就算比较器很快,即时响应吧,MOS的栅荷总是需要几十nS的,这个时间够把沟道烧熔了

只看该作者 · 2009-2-9 17:24

加个电感的作用应该是使电流急剧变化的时候缓冲电流，那么如果负载短路，MOS管中的电流会缓慢上升，就是利用这个“缓慢”而获得的时间来使比较器和触发器有充足的时间来反映是不是？
还有我的方法是否可行？缺点在哪？

2万 · 2009-2-9 17:36

这里的热容量，要区别于物理的“比热”，它是指半导体器件PN结或沟道的物质，在发热产生失效的高温所需要的能量，这是由于瞬间的发热不能散发出去，全靠升温来吸纳。这个能量一般在mJ级，甚至uJ级，瞬间的短路产生的热量足已损坏器件。静电及雪崩击穿、二次击穿（这个是BJT的热点）能够损坏器件，便是因为这个道理

2万 · 2009-2-9 17:40

市电线路本身的引线电感对短路电流的忽增本来还有一些抑制作用，加个电容，反而坏事

只看该作者 · 2009-2-9 18:57

只看该作者 · 2009-2-11 12:54

只看该作者 · 2009-2-12 13:52

负载短路ＭＯＳ管要烧坏

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补充

造成MOS关烧毁的原因是MOS管耗散功率过大。

整个保护电路的反应时间和延迟时间不能忽视

串个小电感吧

请问蚂蚁前辈

MOS烧掉，与沟道的热容量有关

加电容滤波反而事得其反

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