本帖最后由 电子菜鸟435 于 2010-4-26 16:21 编辑
关于mos漏源二极管很多mos管的漏极与源极实际上是并接着一只反向二极管,(过去老的mos管D,S可以互换.)它主要是起阻尼作用,由其是直接有电感负载时有一定保护作用,但它的存在相当于并接了一个可变电容,所以转换中充放电要有一个过程,设计与新工艺也在千方百计的做着改善, 如肖特基管及物理位置变化等方式减小它对转换特性的影响.以上是百度搜到的。
如图,虚线二极管是寄生二极管。M1只能控制放电,不能控制充电,M2只能控制充电不能控制放电。
另外我们公司也是做锂电保护芯片XB4301的,不过是把MOS和控制IC集成到一个芯片里了,外围只要一个电容就可以了。
算不算广告,不好意思。:P
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