关于高速光耦，chunyang写过一篇**介绍

只看该作者 · 2009-2-18 23:07

是这样的，偶近来设计了一个MOS管的栅极驱动电路，用了这样的一个结构：PWM的开关频率为100K，占空比0.4，幅值为14V，现在我想将这一路PWM一分为二，也就是想得到幅值和相位相同的两组PWM驱动MOS管，用了以下的这个电路，7815给两只高速光耦250供电，当光耦控制端PWM高电平来时，光耦开通，6、7pin输出高电平15V（可能会略低于15V，因为在光耦上面有一定的压降），再经过限流电阻R30后送到MOS管的栅极，从而开通MOS管；当PWM低电平来时，光耦不导通，从而关断MOS管，不知道这样的设计是否得当，请大家指点！谢谢了！
标注：因为我用全桥拓扑，想用这两路驱动对角的两个MOS

只看该作者 · 2009-2-18 23:11

恳切大家指点

只看该作者 · 2009-2-18 23:16

图纸如下

只看该作者 · 2009-2-19 19:19

求助ing········

只看该作者 · 2009-2-19 19:21

只看该作者 · 2009-2-19 20:03

很多都是选择变压器驱动的

只看该作者 · 2009-2-19 22:03

考虑下PWM的电流输出能力，和光耦的开关速度，问题应该就不会很大

只看该作者 · 2009-2-19 22:29

我以前在学校做焊接电源时，就是用这个驱动IGBT，不过开关频率不高，20K，我不知道250能不能达到100K的开关速度，不知道大家有谁用过这个光耦工作在100K以上的工作频率不？谢谢了！因为我设置开关的死区时间为1us，占空比0.4，我就怕光耦开关时的频率达不到，上升和下降时间太长了，导致上下桥臂导通，那就出问题了

只看该作者 · 2009-2-20 01:03

手册上写了，最高工作频率25kHz,上升和下降时间典型是0.15uS,最大不超过0.5uS,
还有一个问题，IGBT或者MOS管开关瞬间需要很大的驱动电流，如果开关频率增加，需要的驱动功率也要增加，这对光耦是一个沉重的负担。

2万 · 2009-2-20 15:28

4uS的脉宽，上升/下降沿各占0.15uS

只看该作者 · 2009-2-20 20:38

1.请问10搂PowerAnts，你好，你说的速度稍慢了些

4uS的脉宽，上升/下降沿各占0.15uS

是什么意思？是指光耦开关速度跟不上吗？还有我定的4us占空比是不是太大了？谢谢！

2.还有9搂的quakegod ，你好，你说的250开关速度最大25K，但是我下载下来的说明书（21IC资料库查到的）怎么没看到这个参数？请问它的参数符号是那个？谢谢，以方便我再次确认下

3.如果真的250跟不上的话，那么请大家介绍一下有那些速度可以达到100K的光耦，以上问题，不胜感激！

只看该作者 · 2009-2-20 22:11

只看该作者 · 2009-2-21 23:22

呵呵！真的看见了，谢谢！那么请推荐下用什么光耦可以达到这个开关速度的？又要是这种非线性的光耦，谢谢了

只看该作者 · 2009-2-22 09:37

用什么光耦呢？恳请大家推荐一下！无限感谢

只看该作者 · 2009-2-22 10:09

据我所知，大部分高速光耦都承受不了15V的集电极电压，建议不要考虑使用光耦了

3万 · 2009-2-22 11:52

用“高速光耦”google一下即可找到。
不过，高速光耦相当贵。

只看该作者 · 2009-2-22 22:13

因为用光耦驱动电路比较简单，所以一直都是用它来做驱动，看来还真的要想想其它的方法了！

只看该作者 · 2009-2-22 22:42

你那个限流电阻不应该放在那个位置吧
带有推挽功能的光耦还能达到那么高的速度不是很好找

只看该作者 · 2009-2-22 23:09

请指点，谢谢

1万 · 2009-2-23 08:54

关于高速光耦，chunyang写过一篇**介绍

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请大家帮忙分析一下这个栅极驱动电路

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怎么没有高手指点一二呢？

这样光耦合的速度可以吗?

最好用变压器驱动

re

光耦的驱动能力应该可以

查书册

速度稍慢了些

关于250

25K在这呢。

哦，真的谢谢了

好急呀！请大家帮助

光耦

关于高速光耦，chunyang写过一篇**介绍

哦，这样的，但是用脉冲变压器驱动我又不会呀

你那个 限流电阻不应该放在那个位置吧

18楼的大侠请指点一下

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你那个限流电阻不应该放在那个位置吧