MOS管进入恒流区后，导电沟道已经夹断，为啥还有电流

只看该作者 · 2017-3-7 23:10

导电沟道已被夹断，为何还有电流流过？

1万 · 2017-3-7 23:14

全夹断是没有电流,不是全夹断的,近D极的电流叫漂移电流，电埸的作用，类似于BJT的集电区的作用。

只看该作者 · 2017-3-7 23:41

zyj9490 发表于 2017-3-7 23:14
全夹断是没有电流,不是全夹断的,近D极的电流叫漂移电流，电埸的作用，类似于BJT的集电区的作用。 ...

你指的是PN结的漂移作用吗，可是这种漂移只是在PN结反偏时才产生，MOS管进入恒流区时如果吧漏极耗尽层导电沟道视为一个PN结的话，这个PN结不一定反偏啊

1万 · 2017-3-7 23:49

crossarmy 发表于 2017-3-7 23:41
你指的是PN结的漂移作用吗，可是这种漂移只是在PN结反偏时才产生，MOS管进入恒流区时如果吧漏极耗尽层导电 ...

不一定要PN结才形成电埸，耗尽层是正电荷的，电埸E是D指向S,N型半导体是电子作为多子，吸引到D区的。

只看该作者 · 2017-3-7 23:58

zyj9490 发表于 2017-3-7 23:49
不一定要PN结才形成电埸，耗尽层是正电荷的，电埸E是D指向S,N型半导体是电子作为多子，吸引到D区的。 ...

没听懂，为啥耗尽层是正电荷？你的意思是有一个从D指向S的电场，吸引沟道中的电子漂移到D区吗

1万 · 2017-3-8 00:01

crossarmy 发表于 2017-3-7 23:58
没听懂，为啥耗尽层是正电荷？你的意思是有一个从D指向S的电场，吸引沟道中的电子漂移到D区吗 ...

是，针对NMOS而说。

只看该作者 · 2017-3-8 00:06

本帖最后由 crossarmy 于 2017-3-8 00:08 编辑

zyj9490 发表于 2017-3-8 00:01
是，针对NMOS而说。

我说的也是NMOS，NMOS导电沟道是电子，为啥说耗尽层是正电荷？还有虽然有VDS电场方向是D到S，可是还有个栅极电压啊，沟道上各点的电压是VGS-VDS，这个值完全有可能大于D点电压，怎么能确保D点一定是高电势？

1万 · 2017-3-8 00:14

本帖最后由 zyj9490 于 2017-3-8 00:19 编辑

crossarmy 发表于 2017-3-8 00:06
我说的也是NMOS，NMOS导电沟道是电子，为啥说耗尽层是正电荷？还有虽然有VDS电场方向是D到S，可是还有个栅 ...

你可以看看夹断的形状就明白，越近D,夹断越完全，VDG+VGS>=VTH才会发生夹断.以N沟道的FET为明了,增强型的MOS有一个反型层不好明了，

只看该作者 · 2017-3-8 00:23

本帖最后由 crossarmy 于 2017-3-8 00:30 编辑

zyj9490 发表于 2017-3-8 00:14
你可以看看夹断的形状就明白，越近D,夹断越完全，VDG+VGS>=VTH才会发生夹断. ...

那也不对啊，比如开启电压是VTH=2V,
VGS=2.1V>VTH VDS=0.2V 此时VGS-VDS=1.9V<VTH 此时管子夹断，那此时D区电压是0.2V，夹断区电压是1.9V电场方向并不是从D指向S啊

只看该作者 · 2017-3-8 00:26

zyj9490 发表于 2017-3-8 00:14
你可以看看夹断的形状就明白，越近D,夹断越完全，VDG+VGS>=VTH才会发生夹断.以N沟道的FET为明了,增强型的M ...

那也不对啊，比如开启电压是VTH=2V,
VGS=2.1V>VTH VDS=0.2V 此时VGS-VDS=1.9V<VTH 此时管子夹断，那此时D区电压是0.2V，夹断区电压是1.9V电场方向并不是从D指向S啊

只看该作者 · 2017-3-8 08:42

正因为沟道夹断才进入恒流区。虽然夹断，此时的电流是因为DS之间强大的电场硬把载流子拉出来通流的。夹断产生的原因就是DS之间的高压。

1万 · 2017-3-8 09:14

扯半天扯不清楚，

原因就是没有真正夹断，

2万 · 2017-3-8 10:31

这个问题好啊，学FET都会碰到的，（不喜欢琢磨的当然碰不到了！）

当年用老康的模电书，这个饱和区夹断，足足耗了半小时，就是反复研读书上的说明，写啊，画啊，，，，到最后是迷迷糊糊，似懂非懂。。。

几年后，学集成电路设计，再次碰到这个问题，认识才又深入一点！

一般教材之所以模糊处理，原因是作者也不一定懂！自然也说不清！
这个电流传导机理非常复杂，即便是用教材上那个近似模型，专业的半导体物理书籍，在这块也只敢处理源端，避免处理漏端！
而MOSt的伏安特性的推导，更是滑头，他是推导过线性区后，直接把VDS=VG-VT代入，立马得到平方率模型了。说高于这个VDSsat就饱和，ID不变了。。。

总之，推导过程不严格，基本是先知道结果，再凑答案！

只看该作者 · 2017-3-8 13:47

看看

1万 · 2017-3-8 16:15

饱和的沟道，就像个奶嘴，

只看该作者 · 2017-3-8 19:08

06007507 发表于 2017-3-8 08:42
正因为沟道夹断才进入恒流区。虽然夹断，此时的电流是因为DS之间强大的电场硬把载流子拉出来通流的。夹断产 ...

DS间的电压虽然是D指向S的，但是还有栅极电压啊，加上栅极电压后各点的电势就是VGS-VDS，不能保证D点一定是高电压啊

只看该作者 · 2017-3-8 19:21

xukun977 发表于 2017-3-8 10:31
这个问题好啊，学FET都会碰到的，（不喜欢琢磨的当然碰不到了！）

当年用老康的模电书，这个饱和区夹断， ...

那到底是为什么呢

1万 · 2017-3-8 20:10

FET从工艺上没有分D,S极的，只要外部VD》vs就有分了。对N-fet,电位高的就是D,低的就是S极。只要-VGS足够高,就没有电流了.看NFET的输入线，ID---VGS，此时，VDS多少高也没用。

只看该作者 · 2017-3-8 20:16

zyj9490 发表于 2017-3-8 20:10
FET从工艺上没有分D,S极的，只要外部VD》vs就有分了。对N-fet,电位高的就是D,低的就是S极。只要-VGS足够高, ...

还是不大懂，方便留个QQ吗，私聊

1万 · 2017-3-8 20:36

本帖最后由 zyj9490 于 2017-3-8 20:37 编辑

虽另

MOS管进入恒流区后，导电沟道已经夹断，为啥还有电流

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