SM470R1B1M-HT冷门芯片求助啊

登录 · 发表于 2017-3-9 14:28

1、可以使用片内的1M的flash空间进行数据的存储，来进行掉电数据保护吗？

2、问题1答案是可以得话，下载的程序存到哪里了呢？是不是可以通过IAR设置程序的地址？

3、问题1答案是可以得话，存储数据的地址可以自己确定吗？，可编程地址如下：

请问，RAM、FLASH、HET RAM的地址分别是多少？

4、如果可以存储数据的话，存储的时候，看到这句话：

请问，这个芯片写入的时候是可以2个2个字节写入对吧？那写之前要进行擦除吗？是不是按页（16K字节）擦除？对于已经有数据的地址再写数据时，要擦除吗？

5、在其总的手册中有以下一句话：，请问，这个50000是指读写次数吗？那么这个次数是怎么算的呢？①是每bit可以进行50000次读写，②还是读写1次就算1次？比如，对flash中的8个字，64bit进行每2个字节的间断性写操作，过程中是对每bit进行操作，按第1中解释，那么其实算使用掉了1次读写机会；按第2种解释，写了8/2=4次，使用掉了4次读写机会。

发表于 2017-3-10 09:42

这个mcu确实够冷门的。
@gaoyang9992006 帮看看这个问题

发表于 2017-3-10 09:42

搜索能找到ti官网有这个器件的资料，但我打开就找不到搜索的页面，好奇怪。

发表于 2017-3-10 09:56

看来一下手册，说是可以编程用的。可以用于存储数据。
The F05 flash has an external state machine for programming and erase functions.
不知道这个芯片有没有提供库函数或者例程序之类的东西。回头查查再告诉你。

发表于 2017-3-10 16:05

gaoyang9992006 发表于 2017-3-10 09:56
看来一下手册，说是可以编程用的。可以用于存储数据。
The F05 flash has an external state machine for p ...

万分感谢啊，真的有好多方面不清楚呢

发表于 2017-3-10 16:07

dirtwillfly 发表于 2017-3-10 09:42
搜索能找到ti官网有这个器件的资料，但我打开就找不到搜索的页面，好奇怪。 ...

是不是浏览器的问题，我是在中文网站下的，但是都是英文的手册

发表于 2017-3-11 22:15

这个真没有用过的。

发表于 2017-3-11 22:16

掉电丢失，可以保存到flash存储器里面吧。

发表于 2017-3-13 09:08

xiaoyaodz 发表于 2017-3-11 22:15
这个真没有用过的。

谢谢关注。。。。

发表于 2017-3-13 09:10

xiaoyaodz 发表于 2017-3-11 22:16
掉电丢失，可以保存到flash存储器里面吧。

这个我是知道的，但是擦写此处怎么算呢？因为这个芯片擦鞋次数至少50000次，比一般的flash存储器至少100000次少了一半，如果频繁的擦写，很快就会用完，所以比较在意。

发表于 2017-3-13 14:18

可以使用外部的flash存储器

发表于 2017-3-13 14:19

程序引导最好能够BootLoader进行引导。

发表于 2017-3-13 15:49

youtome 发表于 2017-3-13 14:18
可以使用外部的flash存储器

但是我们现在处在一个尴尬的境地，单片机工作的时候存在掉电情况，大容量的flash，大部分都是按页存储，如果在把数据存到缓存过程中掉电，则丢数严重，如果用小容量的，又需要多片并联，电路板空间有限，所以才想着用片内的flash的想法，才有以上的问题，能帮忙解答一下吗

发表于 2017-3-13 15:50

youtome 发表于 2017-3-13 14:19
程序引导最好能够BootLoader进行引导。

不是程序引导，是存数据

发表于 2017-3-14 21:25

单片机工作的时候存在掉电情况

这掉电是需要，还是不正常现象

发表于 2017-3-15 10:49

下载的程序是放在Flash里面的。

发表于 2017-3-15 10:52

存储的地址都是根据存储器下载的。

发表于 2017-3-15 16:53

存储在flash里面掉电就会保护数据了。

发表于 2017-3-15 16:54

下载的程序后，数据就在Flash里面。

发表于 2017-3-15 23:50

这个没整过的，，不是很清楚的

SM470R1B1M-HT冷门芯片求助啊

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