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mos烧毁!

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qvb123|  楼主 | 2017-3-15 22:12 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
为何这个电路的一上电总是会烧 2N7002
1:把r167加大也没什么效果,Q29的Vds为60v,而上面电源输入为24V(此为24v铅酸电池,200AH的)。
2:烧毁特征表现为开机上电瞬间击穿MOS.
这里难道是过压?望指教!

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沙发
戈卫东| | 2017-3-15 22:17 | 只看该作者
上电浪涌电压有没有测量?

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板凳
qvb123|  楼主 | 2017-3-15 22:19 | 只看该作者
在我的理解这里供电是电池,电压变化应该不大,比较平稳,至于上电浪涌电压的测量没用相关仪器不知如何测量。

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地板
jh873361781| | 2017-3-15 22:47 | 只看该作者
感觉怪怪的,24V,居然有60V,

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5
lfc315| | 2017-3-16 10:52 | 只看该作者
2N7002的G极信号电压是多少?

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6
OTB| | 2017-3-16 11:37 | 只看该作者
应该先烧MOSFET-P。

之后才是2N7002烧。

这样才对。

因为24V电压给PMOS通常Vsg小于20V。

所以PMOS先烧之后假如Vsg短路那么2N7002因为漏极没有电阻从而必烧无疑。

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7
lihui567| | 2017-3-16 12:57 | 只看该作者
不应该,24v电池,电压没那么高

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8
戈卫东| | 2017-3-16 18:02 | 只看该作者
lihui567 发表于 2017-3-16 12:57
不应该,24v电池,电压没那么高

你应该关注一下电源刚接通的时候会发生什么事情。

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9
流年98| | 2017-3-16 19:14 | 只看该作者
C118后级是否有大电容

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10
明天旅行| | 2017-3-16 19:14 | 只看该作者
在24V和GND上加一个共模电感,再把电容增大到4.7uF试试

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11
OTB| | 2017-3-16 19:44 | 只看该作者
Q29上面100K下面接一个10K电阻。

就可以了。

就不会烧2N7002了。

即使不是因为24V 的Vsg导致PMOS烧毁。

也是因上电瞬间Vsg的电容较大而导致2N7002电流过大而烧毁。

谢谢大家!

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12
lihui567| | 2017-3-16 21:12 | 只看该作者
Q29 的G级接下拉电阻

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13
qvb123|  楼主 | 2017-3-17 13:57 | 只看该作者
整个现象弄明白了:1:c27和r167最初因为丝印放错了,所以2者位置放反了。导致电路一直有烧的情况。纠正后不明白是否是后遗症的原因,还是有烧MOS的情况。
2:2N7002的G极信号电压是3。3V,MOSFET-P也有被烧毁的情况;有可能是后级负载为容性负载-超声探头,另PMOS后有330uh电感的缘故。

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