保护方案2 上一解决方案可提供最高四级ESD和EFT保护,但只能提供二级电涌保护。为了提高电涌保护级别,保护电路变得更加复杂。以下保护方案可以提供最高四级电涌保护。 CDSOT23-SM712专门针对RS-485数据端口设计。以下两个电路基于CDSOT23-SM712构建,提供更高级别的电路保护。 CDSOT23-SM712提供次级保护,而TISP4240M3BJR-S提供主保护。主从保护器件与过流保护之间的协调通过TBU-CA065-200-WH完成。表2显示使用此保护电路的ESD、EFT和电涌瞬变保护电压级别。表2. 解决方案2保护级别 当瞬变能量施加于保护电路时,TVS将会击穿,通过提供低阻抗的接地路径来保护器件。由于电压和电流较高,还必须通过限制通过的电流来保护TVS。这可采用瞬态闭锁单元(TBU)实现,它是一个主动高速过流保护元件。此解决方案中的 TBU是 BournsTBU-CA065-200-WH。 TBU可阻挡电流,而不是将其分流至地。作为串联元件,它会对通过器件的电流做出反应,而不是对接口两端的电压做出反应。TBU是一个高速过流保护元件,具有预设电流限值和耐高压能力。 当发生过流,TVS由于瞬态事件击穿时,TBU中的电流将升至器件设置的限流水平。此时,TBU会在不足1 时间内将受保护电路与电涌断开。在瞬变的剩余时间内,TBU保持在受保护阻隔状态,只有极小的电流( 与所有过流保护技术相同,TBU具有最大击穿电压,因此主保护器件必须箝位电压,并将瞬变能量重新引导至地。这通常使用气体放电管或固态晶闸管等技术实现,例如完全集成电涌保护器(TISP)。TISP充当主保护器件。当超过其预定义保护电压时,它提供瞬态开路低阻抗接地路径,从而将大部分瞬变能量从系统和其他保护器件转移开。 TISP的非线性电压-电流特性通过转移产生的电流来限制过压。作为晶闸管,TISP具有非连续电压-电流特性,它是由于高电压区和低电压区之间的切换动作而导致的。图9显示了器件的电压-电流特性。在TISP器件切换到低电压状态之前,它具有低阻抗接地路径以分流瞬变能量,雪崩击穿区域则导致了箝位动作。在限制过压的过程中,受保护电路短暂暴露在高压下,因而在切换到低压保护导通状态之前,TISP器件处在击穿区域。TBU将保护下游电路,防止由于这种高电压导致的高电流造成损坏。当转移电流降低到临界值以下时,TISP器件自动复位,以便恢复正常系统运行。如上所述,所有三个器件与系统I/O协同工作来保护系统免受高电压和电流瞬变影响。
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