功率Mosfet在漏极高压供电瞬间DS短路

登录 · 发表于 2017-3-27 17:59

推挽输出的功率mosfet，在漏极通高压时（DC300V），偶尔出现mos管击穿的问题，导致漏极和源极短路，烧毁管子，请问是怎么回事？原理图见附件。

发表于 2017-3-27 18:54

保护也没有，肯定会这样，因为总有漏感能量不能耦合到次边。加RCD网络接在D与300V间。

发表于 2017-3-28 09:14

谢谢两位的回复。
首先接通低压24V，再接通高压300V，接通高压瞬间mos管击穿（偶发事件，几十次发生1次击穿事件），DS短路。
RCD网络有没其他参数要求？
另外是否需要在G级和地之间接个下地电阻（100k）。

发表于 2017-3-28 19:36

NEWMAN2020 发表于 2017-3-28 09:14
谢谢两位的回复。
首先接通低压24V，再接通高压300V，接通高压瞬间mos管击穿（偶发事件，几十次发生1次击穿 ...

没必要，因为有射极电阻，RCD网络是经验值，网上查下有的。

发表于 2017-3-28 19:40

是发热还是没发热，分二种情况，一种热击穿，一种是过压击穿。

发表于 2017-3-28 20:52

本帖最后由 NEWMAN2020 于 2017-3-28 20:53 编辑

没发热，就是接通高压瞬间DS就短路了。管子是凉的。

登录 · 发表于 2017-3-28 21:02

本帖最后由 NEWMAN2020 于 2017-3-28 21:09 编辑

300V高压接通瞬间，mos管Vgs的波形（此时管子没击穿）。
因为是偶发事件，所以没有抓到管子击穿时的Vgs波形。此时信号源没有提供驱动，Vgs的波形是300V电源接进来时的干扰。

发表于 2017-3-28 22:38

本帖最后由 zyj9490 于 2017-3-28 22:39 编辑

加RCD，且BVdso要有冗度。这是接通时的暂态过程。正常。

发表于 2017-3-29 07:04

照例地，两漏极之间联接一C，各漏-地之间联接一小C，或RC串联网络，没有D。

发表于 2017-3-29 08:56

mark

发表于 2017-3-29 09:03

换其他家的MOS 试试

发表于 2017-3-29 10:45

king5555 发表于 2017-3-28 23:25
代表10+100=110欧姆还太大了。DRlVE-in不能悬空必須有下拉电阻。高压侧的源极有串联电阻理应把过流保护做上 ...

drive-in前端有个1k的下地电阻。另外问问如何做过流保护？
外观看不到损坏（完好），瞬间也没有响声。
就是高压加不上去了。

发表于 2017-3-29 10:47

zyj9490 发表于 2017-3-28 22:38
加RCD，且BVdso要有冗度。这是接通时的暂态过程。正常。

Vds管子是800V的，开通瞬间应该有余量，我再测测看看

发表于 2017-3-29 10:48

Lgz2006 发表于 2017-3-29 07:04
照例地，两漏极之间联接一C，各漏-地之间联接一小C，或RC串联网络，没有D。 ...

各漏-地之间联接一小C，或RC串联网络，没有D。
会否影响输出，输出频率10kHz-300kHz

发表于 2017-3-29 10:49

jjjyufan 发表于 2017-3-29 09:03
换其他家的MOS 试试

IXYS？就是原来买的全是ST的

发表于 2017-3-29 10:50

同样的问题

发表于 2017-3-29 11:57

NEWMAN2020 发表于 2017-3-28 21:02
300V高压接通瞬间，mos管Vgs的波形（此时管子没击穿）。
因为是偶发事件，所以没有抓到管子击穿时的Vgs波形 ...

图中的幅值跟实际电压怎么换算啊？

发表于 2017-3-29 12:50

本帖最后由 NEWMAN2020 于 2017-3-29 12:53 编辑

zyj9490 发表于 2017-3-29 11:57
图中的幅值跟实际电压怎么换算啊？

正峰值3.2，负峰值3.9，具体其他位置没有测量，VDS看了也没有明显的过冲，就是上升到最大300V，下午来测测D极和高压端的瞬间电压。

登录 · 发表于 2017-3-29 21:36

高压接通瞬间Vds的波形（管子未击穿时），就是300V一点都没超过

发表于 2017-3-30 11:06

我只是路过打酱油的

[电子元器件] 功率Mosfet在漏极高压供电瞬间DS短路