本帖最后由 yugzhi 于 2017-3-31 17:14 编辑
如题：各位大侠，我的电源输出在高边有一个PMOS管，为了保证可靠性，不能在低边做电流检测和用NMOS做导通与断开，只能在高边用PMOS管做导通与断开控制，同时电流检测也需要高边检测。
有人说可以通过检测PMOS内阻来确定过流的情况。
请问如何设计这个高边的电流检测，
1：如果PMOS关断时，内阻之间的电压相当于电源输出的整个电压。
2：过流时PMOS内阻会不会变？如何比较精确的设定过流电阻的阻值？
3：抛开上面的，如果我想限流的情况下还可以有输出，只要保证电流不超限，又该如何做？或者说我是为了防止开机瞬间的大电流冲击
补充说下，曾经用简单的方法来判断过流的情况，即在PMOS的D S间跨一个PNP三极管做检测，当时用的IRF9530,标称内阻 rDS(ON) = 0.300Ω，条件是ID = -6.5A, VGS = -10V,
确实能关断，但这时IRF9530非常热，且具体在几安培保护，无法准确设置，而且很容易误触发保护，后来想了点办法，不会误动作，但结果是只能作短路保护，而不是过流保护了。
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