本帖最后由 jinwenfeng 于 2017-4-8 15:37 编辑
以TF卡CLK为例进行讲解。
TF卡CLK接收端（弹片处）测到的波形如下。 图1 TF卡CLK接收端波形（弹片处） TF卡CLK通路串0Ω和50Ω，在弹片处测的幅度不变，则TF卡CLK的输入阻抗是高阻。测试点与TF卡内部DIE之间有一段弹片和TF卡金手指，则感性比较大。测试波形有回勾塌陷，伴有过冲，基本可以断定是高负载+电感+电容这种情况。使用ADS进行仿真，仿真图与结果如下。 图2 TF卡CLK仿真图（0Ω） 图3 TF卡CLK仿真结果（0Ω） 由上图可以看出，源端串0Ω，内部DIE有过冲无回勾，弹片处有回勾和过冲，源端有台阶、回勾和过冲。源端的台阶是高阻负载不匹配引起的，测量源端波形如下。 图4 TF卡CLK源端波形 源端测到的波形也有类似的台阶，与仿真结果基本一致。 TF卡内部DIE只有过冲，可以在源端串个小电阻，增加源阻抗，减小向微带线注入的电压电流，即减弱源端驱动力。这样就可以减缓对电容的充电速度，防止电容过充而产生过冲。 经过调试，源端串22Ω电阻，效果较好，如下图。 图5 TF卡CLK接收端波形（弹片处） 图6 TF卡CLK仿真结果（22Ω） 由上图弹片处的实测波形和标红的仿真波形（TF卡内部DIE）可知，过冲基本没有了。
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