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三极管复位问题

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jianhua522|  楼主 | 2010-5-4 16:32 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
jianhua522|  楼主 | 2010-5-4 16:35 | 只看该作者
下面是波形图

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板凳
jianhua522|  楼主 | 2010-5-4 17:01 | 只看该作者
可是先让Q5导通,再充电时Q2是完全导通的。就是组合起来就不能完全导通。

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地板
zdaly| | 2010-5-4 17:16 | 只看该作者
会不会是C51电容和后面的电阻搭配不当呢……

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jianhua522|  楼主 | 2010-5-4 17:24 | 只看该作者
C51改变复位时间,试着改成1uF,复位时间加到100ms还是不行,TP14电压总是嵌位在1.2V的样子。

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jianhua522|  楼主 | 2010-5-4 17:28 | 只看该作者
这个组合复位是常用的,没什么问题。Q5是高电平导通。
现在要求底电平导通,故把Q5改成PMOS管,就出现了复位不彻底的情况。

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Quentin| | 2010-5-4 21:04 | 只看该作者
个人理解:
PMOS用作开关时,导通的应该时高电平。
所以先让Q5导通HVLDO时没有问题的。
但如果Q2同时导通,则Q5的漏极处于接近0电位的电平,同时源极的电位也被拉低得很低,则不能满足PMOS的导通条件。这个条件就是:Ugs<Ugs(th)

定性的理解:PMOS的Ugs必须小于某个电压Ugs(th),它才能导通。如果PMOS的源极接高电平,那么G极为0时自然导通,而G极为高电平时截止;
但如果PMOS的源极接地,则无论G极多么低(除非是负电压),PMOS仍无法导通。
这就是为什么PMOS用作开关时,应该导通“高电平”。

楼主的例子里虽然源极没有接地,但漏极接地,G极为0时,漏极将源极电压拉低,但再低下去就会完全截止,所以才会出现导通不彻底的现象。

说得有点乱,不知正误,恳请高人指点。

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QuakeGod| | 2010-5-5 02:27 | 只看该作者
那个1.2V不是导通压降,而是开启门限电压,其实还未完全导通

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jianhua522|  楼主 | 2010-5-5 12:19 | 只看该作者
感谢8楼9楼的分析!Q5漏级(POWER)接地时导通,如何才能它完全导通呢?复位动作是按下power接地,同时充电使Q2基级高电平导通,完成复位。

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jianhua522|  楼主 | 2010-5-5 12:29 | 只看该作者
查了Q5的datasheet,1.2V确实是9楼所说的门限电压。

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qjy_dali| | 2010-5-5 16:23 | 只看该作者
Q5使用不当,原理性错误

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jianhua522|  楼主 | 2010-5-5 21:03 | 只看该作者
Q5的D和S接反了吗?

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