响应POWERANTS号召找了个RCC电路图

发表于 2008-5-29 12:50

哪位给解释一下这个Rzcd和Czcd在这里是做什么的呢？D2为什么要放在这里而不是象常规一样放在输出的地方，然后由输出的正电压直接经过电阻接到Q1的集电极？

发表于 2008-5-29 12:52

发表于 2008-5-29 13:46

因Rzcd和Czcd接在下面,所以D2也必须在下面,否则反馈就被短路了, 而Rzcd和Czcd接在下面还有个好处,反馈电压与UCo2是串联的,反馈可以得到较高的电压,S1损耗就小些.

发表于 2008-5-29 19:28

发表于 2008-5-29 20:07

有稳压管的存在，t.jm说的得到大电压小损耗是怎么实现吗？ 总觉得这个RCC有点奇怪- -！ 从关断到启动与Rcc有点像，但是从启动到关断感觉不像。

发表于 2008-5-29 20:13

Ton时，D2截止，Ns2通过Rzcd和Czcd向mosfet提供电压，使得导通更加迅速（貌似此时RST就没有用了吧？）  Toff时，D2导通，Rzcd上端为-0.6V，加速MOSFET的截至。  不知理解是否正确？  好像所有的资料都说RCC占空比应小于0.5，这是为什么呢？超过0.5了会发生什么问题呢？ Vp*Ton=N*Vo*Toff;    (N=Np/Ns) 得到D=Ton/(Ton+Toff)=N*Vo/(N*Vo+Np) 这样子提高匝比就可以提高占空比，比如占空比为0.7时又有什么问题呢？

发表于 2008-5-29 20:38

这个电路如果想输出小一点的纹波的话，要减小RA，增大hfe吧？如果这样的话，就算是能靠电容来减小S1的损耗，但是Q1的损耗会增大吧？

发表于 2008-5-29 20:42

Mos管的截止的话应该和Q1有关吧，Q1是导致Toff的条件吧。至于占空比超过0.5的话，那么磁芯就不能复位了，很快就饱和了。

发表于 2008-5-29 20:53

 占空比大于0.5为何磁芯就不能复位了？RCC工作在临界状态，反正也得等次级输出电流下降为0后才能重新导通吧？

发表于 2008-5-29 22:48

发表于 2008-5-29 22:54

由反射电压与输入电压之比决定。 强改到0.8...  嘭...  要加，得搞有源钳位(有源钳位也不容易到0.8)

发表于 2008-5-29 22:56

S1的导通截止当然会受Q1控制。 开关电源的损耗里开关管的比重不小的，开关MOSFET导通截止要快，损耗就小些。

发表于 2008-5-29 23:04

是为了不接着正反窺的交流回路，跟台高驱动电压扯不上关系（Czcd隔着呢）。

发表于 2008-5-29 23:21

你仔细看看书

发表于 2008-5-29 23:31

这磁通问题上学时考试分数好像还挺高，咋发现现在看书都看不懂了呢？偶也不是做电源的，花大功夫从头学习比较困难,版主就明示一下吧：）

发表于 2008-5-29 23:32

发表于 2008-5-29 23:38

发表于 2008-5-29 23:44

俺睡了，困

发表于 2008-5-30 12:35

发表于 2008-5-30 13:02

离饱磁密还比较远，你把发射极或源极过流检测电阻短路掉试试看

响应POWERANTS号召找了个RCC电路图

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呵呵，似乎有点感觉了

没理解t.jm说的小损耗

6楼

是和Q1有关啊，我是说截至后Rzcd和Czcd能够加速截至过程

偶打算明天搞个实验，把占空比调到0.8试试！

占空比不是随便调得大的

D2接下面这个方法不错，反馈绕组改一下D2是可以接到上面的

D2接下面

磁通复位问题

唉，书倒下载了不少，看起来没头绪，不知该看哪些，晕！

所有单端变换器都有这个问题

是说只要D超过0.5就不能磁复位吗？

那就要消磁

Vin=4.5V 波形也正常，此时D=0.665

你的磁芯号数较大

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