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CSMC 5V CMOS工艺做做5V输出Boost

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fishwu|  楼主 | 2017-5-3 09:24 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
boost, SMC, CMOS工艺, 芯片, MOS管
我在CSMC 5V CMOS工艺上做了款输出5V 2.5A的BOOST芯片，MOS管内置。
各项参数都达到了设计要求，就是在5V 重载2.5A输出时，突然断开负载，芯片有可能出现烧片。
负载轻点或者输出调低点就没有问题。
怀疑是由于突然重载断开后，输出电压跳高，过压烧毁，但不敢确定。

请教在5V平台上实现过5V 2A以上的Boost电路，能够实现吗？

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沙发
DMETJOHN| | 2017-5-7 09:49 | 只看该作者
大电流输出的用外置MOS的boost电路，

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板凳
airwill| | 2017-5-8 10:40 | 只看该作者
我觉得还有可能, 过热保护了. 这种情况下, 通常器件不会损害, 冷下来又能正常工作
你要考虑散热条件和能力

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地板
fishwu|  楼主 | 2017-5-9 15:10 | 只看该作者
DMETJOHN 发表于 2017-5-7 09:49
大电流输出的用外置MOS的boost电路，

电流2.5A，也不算太大，全内置的。

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5楼
fishwu|  楼主 | 2017-5-9 15:33 | 只看该作者
king5555 发表于 2017-5-7 21:40
最后级的MOS管应有限流保护，切断负載之瞬间，占空比未必能迅速下降到最低，而升压用途的电感储存的能量会 ...

有限流保护，也有最大占空比限制，但是重载突然断开瞬间，几个周期之后，保护就不起作用了。

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6楼
fishwu|  楼主 | 2017-5-9 15:34 | 只看该作者
airwill 发表于 2017-5-8 10:40
我觉得还有可能, 过热保护了. 这种情况下, 通常器件不会损害, 冷下来又能正常工作
你要考虑散热条件和能力 ...

芯片直接烧坏了，是Low site NMOS管烧坏的。

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7楼
micro1982| | 2017-5-9 16:36 | 只看该作者
整个回路的响应时间太长

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8楼
hao_m| | 2020-6-5 10:16 | 只看该作者
lz你好，我也在做一个boost，想问一下5v工艺5V输出的boost nmos功率管管栅漏电压在死区的时候会到6-7v，工艺文档里不建议工作在这么大的压差下，lz做电路的时候有这个问题吗，怎么处理的呢？

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