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3.3、AMS1117关键参数 *最高工作温度：125度 *封装温升（TO—2223[SOT-223]）：90度/W（空气），消耗1W产生温升可以达到90度，比如我们常温下也就30度，30+90就是120度，所以如果是裸露的话TO-223封装的话（没有PCB散热的情况下），基本上工作温度差不多到极限了，如果有PCB散热的话，那么每W的温升也就40-50度，那么30+40—50也有70-80度了，手摸上去已经烫手了，虽然说不至于烧，但也烫手了，所以也算是到极限了，所以说你不能让电源芯片一直工作在极限温度上吧。电源上所标的输出电流，只能说它具有这个能力，但是真正达到多少电流取决于它身上的压降，也就是输入电压减去输出电压*工作的电流就是产生的发热量找到每度产生的热，一般来说如果没有散热器的情况下（空气条件30度），我们高估一点，比如说每瓦90度的话，30+90=120也就是到达极限了，那么我们就认为1117最高也就承受1瓦。所以我们设计的1117消耗的功耗，不要超过极限的0.5瓦，电源芯片尽可能多留些余量。否则哪一天买到质量差一点的就爆掉了。如果PCB散热条件好的话，问题就不太大了。 *输入输出最小压差：1.0V，1117很适合输入5伏输出3.3伏的场合 *输出电压范围（AMS1117-3.3）：3.267—3.333V，这个可以看到它比LM78系列精度高了很多 *其它指标参考PDF文档 这个芯片有个缺点，比如输出3.3伏，那么加1伏的压差就是4.3伏了，我们知道锂电池是3.4—4.2伏，一般取下限，3.4（因为工作不可能工作在4.2上），锂电池刚开始用4.2，那么随着使用变成3.8，3.7将到3.4，一般3.4是锂电池的最低限。但是很多ARM芯片工作在3.3伏上，由于压差的问题，所以1117不适合用于锂电池供电的系统场合。 3.4、AMS1117系列的局限性*PNP达林顿三极管，中等压差：1.0V *高静电电流：5.0mA *移动设备的兴起，需要用锂电池3.4—4.2V供电，需要极低的功耗，极低的压差。（不适合） 由于上边局限性，线性电源继续进化。 4、LDO系列由于AMS1117的芯片缺陷，于是我们开发出了基于CMOS技术的LDO（low drop positive voltage，低压差输出电源）， 4.1、LDO内部电路简析上图就是LDO内部等效电路，标记处使用的就是一个PMOS管，当ErrorAmp输出低电平的时候，PMOS管导通，那么压差几乎趋向于零，也就是保护电阻压差和PMOS管自身的压差。这里边Thermal Protection是热保护，ErrorAmp误差放大，OverCurrentShutDown过流检测。EN是控制引脚，那么LDO一般输出1.2V、1.8V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V，其中3.3V是最常用的。手机上之前常使用的是2.8伏，因为手机的一般端口都是2.8伏，实际上2.8伏的电压和3.3伏的电压是兼容的，因为它们两个压差差0.5伏，所以可以兼容的。所以手机为了省电取了3.3伏的下限。 由于LDO使用CMOS做的，尤其主控MOS管用的是PMOS，所以说它的输入电压不能很高，最高是5.5伏。所以说特别适合于用锂电池的场合，但是它的输入电压最高有5.5V所以在插入一些USB的设备中容易坏，因为有些USB设备它的供电可能超过5.5V，有可能 引起损坏，但这种概率并不高。 4.2、LDO基本参数*输出电压：1.2V、1.8V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V *输入电压：5.5V *输出电流：300mA（SOT—23） *散热封装：SOT—23，SC70 LDO封装一般常用的就是SOT—23封装，比较小的（上左图），SC70也用过但是比较少见。 它的电流是300mA（SOT—23），那么我们算下它的发热量，比如我们输入电压是5伏，输出是3伏的话，那么压降就是2伏，SOT-23最大承受的也就是0.5瓦差不多，0.5瓦除以2伏，那么最高电流输出也就是250毫安，这是在5伏输入3伏输出的情况下。如果是5伏输入1.2输出的话，那这个电流就更小了，因为LDO自身压降有3.8伏，接近4伏了，那0.5瓦除以4就是125毫安。 4.3、LDO的关键参数*最高工作温度：125度 *封装温升（SOT—23）：130度/W（空气），每瓦对应的130度，刚才说了如果是0.5瓦的话，对应65度，比如本底是40度（因为有些设备壳子一包，空间温度可能30度，密封温升可能就升上去了，所以本底就是40度了，甚至更高），那么工作温度就是105度了，接近最高工作温度极限了，所以说SOT—23封装的自身产生功耗千万不要超过0.5瓦。而且SOT—23封装的只有一些脚印出来，也没法散热，所以可以把空气这个值直接拿进来计算。 *输入输出最小压差：0.18V@300mA，这是在300mA情况下，最小压差是0.18V，因为MOS管导通时讲的是电阻值是多少，还不是讲的压降，随着不同的电流下，因为MOS管导通之后它加在MOS管D与S之间的电压取决于电流的大小的，在300mA下压降是0.18伏。那么我们在100mA下除以3的话那就是0.06伏了，而这个电流越大压降会越高，所以一般来说小电流的话压降就可能比较小了，也就是0.0几伏了。手机里大量使用LDO，因为它的工作电压是2.8伏，那锂电池最低电压是3.4伏要关机的话，3.4伏减去2.8伏还有余量0.6伏压差，那么这里0.18mA足够它用了。 *静态电流：65uA，静态电流非常非常小，所以基本可以忽略不记。当然手机里边LDO大量使用一台手机LDO可能用到5-6个，那5-6个乘起来也不小，也接近0.3个mA了。 *其它指标参考PDF文档 4.4、LDO系列的局限性*PMOS调整管，输入耐压较低，不能超过6V，使用局限性较大。一般用于锂电池供电或者5伏之类的USB供电场合，USB供电都有点危险。 *智能手机的兴起，耗电提高，需要低压大电流，LDO的效率太低。智能手机的内核一般工作电压在1.2伏，比如说锂电池最低3.4伏输入的话，你输出1.2伏，这样效率太低，1.2/3.4效率才30%，锂电池的电流有很大，所以低压差这种线性电源效率太低了。 由于LDO的局限性，技术又向前进一步 5、降压型开关电源线性电源，当输入和输出压差比较大的情况下，就存在效率问题，为了解决效率引入了开关电源，降压型开关电源又叫巴赫电路 5.1、降压型开关电源当开关导通的时候，MOS管导通，过来的电通过电感对电容C充电同时对负载R放电你，当开关关闭的时候，因为电感上已经有电流，电感的电流不能突变，它必须要续流因为它的能量要释放掉，于是通过二极管D持续续流，于是把电感上的能量释放给电容，通过电容给到负载R，当然续流是同时给C和R的，那么可以理解为当MOS管导通的时候，这个电压加在电感和负载上，因为电容电压不能突变，那么多余的电压就加在了电感上，因为电压加在电感上，电感的电流要慢慢增加，因为根据公式电感上的电流等于电压除以电感量，电流慢慢线性上升；那么关闭的时候呢，电感上的能量要释放，然后通过D二极管续流释放对电容C和电阻放电，一部分电放到了电容上存储起来了慢慢消耗，有一部分直接消耗在负载R上。这里的二极管叫续流二极管。 5.2、LM25系列最经典的开关电源之后呢，继LM78系列之后也是国半开发出来的LM25系列。
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