moc3021 可控硅

只看该作者 · 2017-5-5 08:26

本帖最后由 liuw2010 于 2017-5-5 08:42 编辑

MOC3021控制可控硅，原理是通过控制MOC3021控制可控硅导通，只有在交流电正弦波正半周的部分阶段让可控硅导通，交流电过零点时可控硅截至，下一个正半周部分再导通……参数：
R20（1K 3W）；C26（0.1uF/630V CBB电容）；
R21（1K 3W）；C26（0.22uF/630V CBB电容）；
发现电阻R20特别热到了烫手程度，R21也发热。
想请教的是为什么R20和R21两个电阻会那么热。还有R22有什么作用？
另：将R20和R21换成5W的水泥电阻也是热的厉害。

只看该作者 · 2017-5-5 13:58

king5555 发表于 2017-5-5 13:31
R20丶R21改成100欧，R21及C27可刪掉。220欧也可改成一百欧。四百七十欧也可以再改大。 ...

R 21C27不是典型的RC吸收回路吗，不能删吧

1万 · 2017-5-6 01:11

king5555 发表于 2017-5-5 13:31
R20丶R21改成100欧，R21及C27可刪掉。220欧也可改成一百欧。四百七十欧也可以再改大。 ...

负载是电磁铁，吸收元件不能少。

1万 · 2017-5-6 01:12

R22去掉，R20用小一些就不热了。

只看该作者 · 2017-5-6 11:19

本帖最后由 liuw2010 于 2017-5-6 11:26 编辑

戈卫东发表于 2017-5-6 01:12
R22去掉，R20用小一些就不热了。

R20烫，不是知道是不是因为R22存在。

只看该作者 · 2017-5-6 11:20

king5555 发表于 2017-5-6 08:47
R20丶C26是吸收兼滤波，C26取值视dv/dt而定。

dv/dt是电压变化率吗，怎么确定它的大小呢

1万 · 2017-5-6 11:33

liuw2010 发表于 2017-5-6 11:19
R20烫，不是知道是不是因为R22存在。

主要是因为它自己取值太大

只看该作者 · 2017-5-11 10:46

本帖最后由 liuw2010 于 2017-5-11 17:20 编辑

戈卫东发表于 2017-5-6 11:33
主要是因为它自己取值太大

结帖：

感谢，将R20由1K换为200欧的确不烫了,注意图中rc吸收电路参数只针对BAT20-600B，经实践发现用BAT20-800B有异常

只看该作者 · 2017-5-11 17:23

戈卫东发表于 2017-5-6 01:11
负载是电磁铁，吸收元件不能少。

对，不能少的。如果负载是纯阻性，则没有什么问题。

只看该作者 · 2021-2-20 22:07

R21和C27是抵制吸收脉冲对BAT20的影响，参数值主要由负载决定。R20和C26是保护光耦MOC3021的。R20的阻值也可以选10K~20K试试，这样就可以选择封装较小的电阻（0.5W或者0.25W），这样的话，R19增大到500Ω/1W试试。R22为BCR门级电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。

moc3021 可控硅

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