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[开关电源]

目前有没有耐压大于1000V，电流几百安培或者更大的MOSFET？

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H_Z_EEE|  楼主 | 2017-5-5 16:03 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOSFET, 电流, 电压
目前有没有耐压大于1000V，电流几百安培或者更大的MOSFET？如果有请给个型号，我找个好久，上千伏的管子电压都只有几安培。

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保夫鲁沙| | 2017-5-5 20:43 | 只看该作者
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jjjyufan| | 2017-5-6 08:36 | 只看该作者
这种场合应用就上IGBT 英飞凌的可以看看

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ar_dong| | 2017-5-14 18:15 | 只看该作者
电动汽车上好像有大管子

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5楼
lizhelizhe| | 2017-5-14 18:58 | 只看该作者
如此高压大电流应该用IGBT

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6楼
sun_web| | 2017-5-16 18:03 | 只看该作者
找apt的看看吧。

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7楼
micro1982| | 2017-5-17 16:11 | 只看该作者
电源上面一般遇到这样需要高压的都是用双端线路来做啊

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8楼
贪玩不回家| | 2017-5-19 09:54 | 只看该作者
mos  一般只见到过低压大电流，或高压小电流的

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9楼
dylanshi| | 2017-6-9 14:03 | 只看该作者
没有，一般 500V以上都会选用igbt或者ipm

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10楼
Siderlee| | 2017-6-10 17:02 | 只看该作者
ROHM的SIC  MOSFET模块，据说到400A了，1200V，再大的没听说

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11楼
pb2008| | 2017-6-14 10:50 | 只看该作者
这么大电流用MOS不保险。MOS受温度影响严重，温度超过100度，电流直接减半

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12楼
风清岭| | 2017-6-15 19:15 | 只看该作者
用IGBT并联输出或者IGBT模块，非得用MOS，得用碳化硅材料MOS，1.2kV单管可以做到接近100A，而且栅极电容比硅材料低得多，速度也高10倍以上，耐热也可以达到150-170度

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