P型MOSFET漏栅电压求助

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 楼主| zhouhuihust 发表于 2010-5-7 09:53 | 显示全部楼层 |阅读模式
我用的P型MOSFET型号是NTA4151P。在调试时发现,当Vgs=0时, Vds大于2V左右的时候,场效应管导通。这是为什么呢?难道PMOS管,漏极电压一定要小于栅极电压?
maychang 发表于 2010-5-7 10:00 | 显示全部楼层
这个问题应该查该管datasheet。
 楼主| zhouhuihust 发表于 2010-5-7 11:05 | 显示全部楼层
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 楼主| zhouhuihust 发表于 2010-5-7 11:10 | 显示全部楼层
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 楼主| zhouhuihust 发表于 2010-5-7 11:12 | 显示全部楼层
2楼的大牛,这个datasheet是不是说,Vgs=0时,当Vds为正,有导通电流?看来选的这个PMOS太失败了。
ShakaLeo 发表于 2010-5-7 12:19 | 显示全部楼层
本帖最后由 ShakaLeo 于 2010-5-7 12:52 编辑

呵呵,sorry,看错图,删除。
maychang 发表于 2010-5-7 12:24 | 显示全部楼层
5楼:
此图上面标得很清楚,是 Diode Forward Voltage vs. Current 。是MOSFET体内二极管电压对电流关系。
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