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P型MOSFET漏栅电压求助

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zhouhuihust|  楼主 | 2010-5-7 09:53 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOSFET, 电压, MOS管, 场效应管, 栅极
我用的P型MOSFET型号是NTA4151P。在调试时发现，当Vgs=0时， Vds大于2V左右的时候，场效应管导通。这是为什么呢？难道PMOS管，漏极电压一定要小于栅极电压？

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沙发
maychang| | 2010-5-7 10:00 | 只看该作者
这个问题应该查该管datasheet。

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板凳
zhouhuihust|  楼主 | 2010-5-7 11:05 | 只看该作者
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地板
zhouhuihust|  楼主 | 2010-5-7 11:10 | 只看该作者
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5楼
zhouhuihust|  楼主 | 2010-5-7 11:12 | 只看该作者
2楼的大牛，这个datasheet是不是说，Vgs=0时，当Vds为正，有导通电流？看来选的这个PMOS太失败了。

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6楼
ShakaLeo| | 2010-5-7 12:19 | 只看该作者
本帖最后由 ShakaLeo 于 2010-5-7 12:52 编辑

呵呵，sorry，看错图，删除。

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7楼
maychang| | 2010-5-7 12:24 | 只看该作者
5楼：
此图上面标得很清楚，是 Diode Forward Voltage vs. Current 。是MOSFET体内二极管电压对电流关系。

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