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[电路/定理]

PMOS作电源开关,开通瞬间前级电源电压跌落。

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楼主
lkmine|  楼主 | 2017-5-9 19:43 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
现象描述:
1.MOS管打开时,会使前级电源VCC电压跌落。VCC_3G并联一个1000uf电容,初步判断是mos管开启瞬间充电电流引起,减小容值有比较小的改善,直接去掉后电压才不会跌落,但是这个储能电容又不能去掉,请问有无改进办法?
2.图1和图2   G级电阻位置不同对电路有没有影响,或者说哪个更好一点。

截图00.png (21.7 KB )

图1

图1

截图01.png (21.69 KB )

图2

图2

相关帖子

沙发
shalixi| | 2017-5-9 20:55 | 只看该作者
前级电源VCC除了R1支路和Q1支路外还有没有其他负载?如果有,你要把对电压敏感的器件放在同一路,在这路上加串一个二极管,并一个大电容。如没有其他负载,你只要在R1上面加个二极管并一个大电容。电容大小要根据需要来定。

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板凳
戈卫东| | 2017-5-9 20:57 | 只看该作者
控制MOS管电流就可以

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地板
Jack315| | 2017-5-9 22:20 | 只看该作者
开关电路和仿真波形供 LZ 参考:


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lhkjg 2017-5-10 21:28 回复TA
+1 
5
摸摸| | 2017-5-9 23:06 | 只看该作者
MOS管前面放一个更大的电容并加一个电阻做缓冲

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6
Jack315| | 2017-5-9 23:33 | 只看该作者
king5555 发表于 2017-5-9 22:31
Q3不小心放错了符号。

谢谢提醒!看着波形差不多符合设计意图就上架了……重新来过:


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7
woshizhengjie89| | 2017-5-10 08:10 | 只看该作者
一个电容就让你前级挂了,这输出能力够可以的

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8
dandantcb| | 2017-5-10 08:19 | 只看该作者
上楼电路很棒。但是串了这么个电阻,也限制了最大的工作电流。

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9
lkmine|  楼主 | 2017-5-10 08:45 | 只看该作者
shalixi 发表于 2017-5-9 20:55
前级电源VCC除了R1支路和Q1支路外还有没有其他负载?如果有,你要把对电压敏感的器件放在同一路,在这路上 ...

前级VCC还带了个LDO,电流不超过100mA。另外VCC来源于电池或者适配器;VCC这路上已经有并电容了。请问R1上并电容不能超过多大啊?

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10
lkmine|  楼主 | 2017-5-10 08:48 | 只看该作者
补充一下:前级电源是锂电池或者适配器,电流有1A左右。另外电压只是MOS管开通那一瞬间跌落。还有请问G及上拉到R4哪一边有没有影响。

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11
松哥无敌| | 2017-5-10 09:43 | 只看该作者
Jack315 发表于 2017-5-9 23:33
谢谢提醒!看着波形差不多符合设计意图就上架了……重新来过:

你是用AD仿真的?厉害了,我的哥

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12
Jack315| | 2017-5-10 09:54 | 只看该作者
松哥无敌 发表于 2017-5-10 09:43
你是用AD仿真的?厉害了,我的哥

梦寐以求 OrCad ……

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13
Jack315| | 2017-5-10 09:56 | 只看该作者
dandantcb 发表于 2017-5-10 08:19
上楼电路很棒。但是串了这么个电阻,也限制了最大的工作电流。

电阻大小以负载最大电流和 PMOS 管的最大允许电流的平均值而定。

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14
lkmine|  楼主 | 2017-5-10 10:11 | 只看该作者
Jack315 发表于 2017-5-10 09:56
电阻大小以负载最大电流和 PMOS 管的最大允许电流的平均值而定。

后面负载电流峰值可能到1A以上,前级串电阻、二极管等方式损耗太大了。我刚试了GS间并104电容,1000uf间并100K电阻,暂时没有改善,等会再试下其他参数。

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15
nvoe| | 2017-5-10 10:17 | 只看该作者
在充能电容前面串联一个大电感,能够有效压制波动。
你本身这个设计就没有考虑大电容充电瞬间电流的问题,其实工程界早就有了所谓的“软启动”

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16
Jack315| | 2017-5-10 13:05 | 只看该作者
lkmine 发表于 2017-5-10 10:11
后面负载电流峰值可能到1A以上,前级串电阻、二极管等方式损耗太大了。我刚试了GS间并104电容,1000uf间 ...

AO3401 最大可承受 30A 的脉冲电流。降额一半,以 15A计。
取样电阻阻值计算为:0.7V / 15A = 46.6mOhm,取 47mOhm 。

电路进入稳态后,电流为 1A。取样电阻上功耗为 47 mW,
与 MOS 管 (Ron = 50 mOhm) 相当。

普通贴片电阻 0603 额定功率为 100 mW,仍有 50% 以上的降额幅度。

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17
Jack315| | 2017-5-10 13:15 | 只看该作者
从仿真波形看,Q1 和 Q2 电流为 0 ,PMOS 管偏置由 C1 维持。

假设单片机控制电压为 5V,电源电压也为 5V。
整个电路耗电 5V × 1A = 5W。
开关控制电路耗电为:
(47 + 50) mOhm × 1A + (5 - 0.7) V ^ 2 / 200 kOhm
= 97 mW + 92.45 mW = 189.45 mW

占约 0.18945 / 5 = 3.789% 的整个电路功耗。

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18
ayl439| | 2017-5-10 14:45 | 只看该作者
学习了!

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19
闲云浩海| | 2017-5-10 14:58 | 只看该作者
楼主这个1000uf的电容是个3G模块做补偿使用的,3G通信的时候,工作在爆发模式下的瞬态电流很大,可以达到2A左右,但是平均电流不会太大,PMOS控制电源,只是上电一瞬间,电容充电电流大,导致前级电压有跌落,最简单的方法,把1000uf的补偿电容,放在MOS管开关之前

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20
lkmine|  楼主 | 2017-5-10 15:10 | 只看该作者
闲云浩海 发表于 2017-5-10 14:58
楼主这个1000uf的电容是个3G模块做补偿使用的,3G通信的时候,工作在爆发模式下的瞬态电流很大,可以达到2A ...

是的,我开始也想过,但是板子空间比较小,如果把1000uf放在前面来,布局的话大电容及MOS管离3G电源就相对比较远。

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