PMOS作电源开关，开通瞬间前级电源电压跌落。

只看该作者 · 2017-5-9 19:43

现象描述：
1.MOS管打开时，会使前级电源VCC电压跌落。VCC_3G并联一个1000uf电容，初步判断是mos管开启瞬间充电电流引起，减小容值有比较小的改善，直接去掉后电压才不会跌落，但是这个储能电容又不能去掉，请问有无改进办法？
2.图1和图2 G级电阻位置不同对电路有没有影响，或者说哪个更好一点。

1万 · 2017-5-9 20:55

前级电源VCC除了R1支路和Q1支路外还有没有其他负载？如果有，你要把对电压敏感的器件放在同一路，在这路上加串一个二极管，并一个大电容。如没有其他负载，你只要在R1上面加个二极管并一个大电容。电容大小要根据需要来定。

1万 · 2017-5-9 20:57

控制MOS管电流就可以

只看该作者 · 2017-5-9 22:20

开关电路和仿真波形供 LZ 参考：

只看该作者 · 2017-5-9 23:06

MOS管前面放一个更大的电容并加一个电阻做缓冲

只看该作者 · 2017-5-9 23:33

king5555 发表于 2017-5-9 22:31
Q3不小心放错了符号。

谢谢提醒！看着波形差不多符合设计意图就上架了……重新来过：

只看该作者 · 2017-5-10 08:10

一个电容就让你前级挂了，这输出能力够可以的

只看该作者 · 2017-5-10 08:19

上楼电路很棒。但是串了这么个电阻，也限制了最大的工作电流。

只看该作者 · 2017-5-10 08:45

shalixi 发表于 2017-5-9 20:55
前级电源VCC除了R1支路和Q1支路外还有没有其他负载？如果有，你要把对电压敏感的器件放在同一路，在这路上 ...

前级VCC还带了个LDO，电流不超过100mA。另外VCC来源于电池或者适配器；VCC这路上已经有并电容了。请问R1上并电容不能超过多大啊？

只看该作者 · 2017-5-10 08:48

补充一下：前级电源是锂电池或者适配器，电流有1A左右。另外电压只是MOS管开通那一瞬间跌落。还有请问G及上拉到R4哪一边有没有影响。

只看该作者 · 2017-5-10 09:43

Jack315 发表于 2017-5-9 23:33
谢谢提醒！看着波形差不多符合设计意图就上架了……重新来过：

你是用AD仿真的？厉害了，我的哥

只看该作者 · 2017-5-10 09:54

松哥无敌发表于 2017-5-10 09:43
你是用AD仿真的？厉害了，我的哥

梦寐以求 OrCad ……

只看该作者 · 2017-5-10 09:56

dandantcb 发表于 2017-5-10 08:19
上楼电路很棒。但是串了这么个电阻，也限制了最大的工作电流。

电阻大小以负载最大电流和 PMOS 管的最大允许电流的平均值而定。

只看该作者 · 2017-5-10 10:11

Jack315 发表于 2017-5-10 09:56
电阻大小以负载最大电流和 PMOS 管的最大允许电流的平均值而定。

后面负载电流峰值可能到1A以上，前级串电阻、二极管等方式损耗太大了。我刚试了GS间并104电容，1000uf间并100K电阻，暂时没有改善，等会再试下其他参数。

只看该作者 · 2017-5-10 10:17

在充能电容前面串联一个大电感，能够有效压制波动。
你本身这个设计就没有考虑大电容充电瞬间电流的问题，其实工程界早就有了所谓的“软启动”

只看该作者 · 2017-5-10 13:05

lkmine 发表于 2017-5-10 10:11
后面负载电流峰值可能到1A以上，前级串电阻、二极管等方式损耗太大了。我刚试了GS间并104电容，1000uf间 ...

AO3401 最大可承受 30A 的脉冲电流。降额一半，以 15A计。
取样电阻阻值计算为：0.7V / 15A = 46.6mOhm，取 47mOhm 。

电路进入稳态后，电流为 1A。取样电阻上功耗为 47 mW，
与 MOS 管（Ron = 50 mOhm) 相当。

普通贴片电阻 0603 额定功率为 100 mW，仍有 50% 以上的降额幅度。

只看该作者 · 2017-5-10 13:15

从仿真波形看，Q1 和 Q2 电流为 0 ，PMOS 管偏置由 C1 维持。

假设单片机控制电压为 5V，电源电压也为 5V。
整个电路耗电 5V × 1A = 5W。
开关控制电路耗电为：
(47 + 50) mOhm × 1A + (5 - 0.7) V ^ 2 / 200 kOhm
= 97 mW + 92.45 mW = 189.45 mW

占约 0.18945 / 5 = 3.789% 的整个电路功耗。

只看该作者 · 2017-5-10 14:45

学习了！

只看该作者 · 2017-5-10 14:58

楼主这个1000uf的电容是个3G模块做补偿使用的，3G通信的时候，工作在爆发模式下的瞬态电流很大，可以达到2A左右，但是平均电流不会太大，PMOS控制电源，只是上电一瞬间，电容充电电流大，导致前级电压有跌落，最简单的方法，把1000uf的补偿电容，放在MOS管开关之前

只看该作者 · 2017-5-10 15:10

闲云浩海发表于 2017-5-10 14:58
楼主这个1000uf的电容是个3G模块做补偿使用的，3G通信的时候，工作在爆发模式下的瞬态电流很大，可以达到2A ...

是的，我开始也想过，但是板子空间比较小，如果把1000uf放在前面来，布局的话大电容及MOS管离3G电源就相对比较远。

PMOS作电源开关，开通瞬间前级电源电压跌落。

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