敢问，到底STM32F103内部Flash读写次数，手册哪里有明确？

发表于 2017-5-10 17:48

如题~~~~~~坐等

发表于 2017-5-10 18:44

看～

发表于 2017-5-10 19:55

准确的说应该是擦除次数,写未见得一定要擦，没写过就不用擦，10W次左右，不要等写坏了才好

发表于 2017-5-10 23:37

100W次没有问题

发表于 2017-5-10 23:40

现在的flash都是百万次擦写，烧坏之前肯定够。

发表于 2017-5-11 08:10

一般都是10W次的

发表于 2017-5-12 22:38

手册保证10k次

发表于 2017-5-12 22:42

也许；你这一辈子（手动）擦不坏一个芯片。。。

发表于 2017-5-12 22:42

号称 100次的maxii；也没见人写坏过。。

发表于 2017-5-12 22:53

同意，除非你用flash模拟eeprom，不然不见得会坏掉的。

发表于 2017-5-13 11:42

我写坏过、、、
专门做擦写测试

发表于 2017-8-2 09:20

xyz549040622 发表于 2017-5-12 22:53
同意，除非你用flash模拟eeprom，不然不见得会坏掉的。

很多时候是需要Flash模拟EEPROM用的，我现在就用到了这个，定时存储参数值，不知道超次数限制了会怎样？

发表于 2017-8-2 09:20

mcuisp 发表于 2017-5-13 11:42
我写坏过、、、
专门做擦写测试

写坏了是中什么状态呢？

发表于 2017-8-11 15:55

掉电的时候保存一次就好了不用一直擦写吧

发表于 2017-8-11 22:55

本帖最后由 wm0478 于 2017-8-11 22:56 编辑

假装自己是EEPROM的时候，多个Flash块循环使用，寿命倍增！供电电路处理一下，掉电保护时同步缓冲区数据到FLASH也不错。

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