A：
NPN
Vc -3V >Vb -9.2V （Vbc=6.2V, 集电结反偏----放大条件之一成立，饱和条件不成立）
Vb -9.2V<Ve -8.5V （Vbe=-0.7V, 发射反偏-----正偏才是导通条件之一）
Vc -3V >Ve -8.5V （Vce=5.5V, c极电压高于e极，放大情况，饱和情况不成立）
深入分析：
一是否损坏：
集电结反偏6.2V，集电结不会损坏
发射结反偏0.7V，发射结不会损坏
管子没有损坏证据。
二是否倒置：
Vbc=6.2V,倒置条件不成立 Vbc=0.7V才成立。
结果：截止
B：
NPN
Vbe=3V>>0.7V 发射结损坏 （>>------远大于）
Vbc=-9V 反偏
结果：损坏
C：
PNP
Veb=0.7V (发射结正偏，放大/饱和条件之一成立）
Vcb=0V （集电结电压0V，非反偏，放大条件不成立。 暂无法划入正偏）
Veb=0.7V （没法证实是否进入饱和，饱和电压比这个小）
深入分析
Ic？？
回想一下PNP的结构图。
基区电压是5.3V，集区电压是5.3V
得到：集电结间电流为0A。
饱和的另一定义：
Ib>>Ic/B (B放大陪数,>>远大于）
结果：饱和
所以11楼的基本饱和是不标准的 |
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