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如图，当线圈接触不好活人为拿开，就会造成IRF9540

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 楼主| cpu51 发表于 2017-5-22 12:06 | 显示全部楼层 |阅读模式
线圈, RF, AC
本帖最后由 cpu51 于 2017-5-23 22:38 编辑

如图，当线圈接触不好或人为拿开线圈，就会造成IRF9540击穿，如何改进呢？请做过的大神指点一下。

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tyw 发表于 2017-5-22 12:39 | 显示全部楼层
线圈断开时反电势视Q值可达Vcc的10～14倍.引起管子击穿.
可在L两端并RC吸收,调整参数,用示波器看,反电势最小为度.
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maychang 发表于 2017-5-22 14:18 | 显示全部楼层
“如图，当线圈接触不好或人为拿开线圈，就会造成IRF9540击穿”

图呢？
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 楼主| cpu51 发表于 2017-5-23 22:39 | 显示全部楼层
不好意思，图终于传上来了，我在D1两端并了1000PF电容，MOS也会击穿。
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qwertwuyu 发表于 2017-5-24 10:03 | 显示全部楼层
tyw 发表于 2017-5-22 12:39
线圈断开时反电势视Q值可达Vcc的10～14倍.引起管子击穿.
可在L两端并RC吸收,调整参数,用示波器看,反电势最 ...

一般怎么选这个值呢
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tyw 发表于 2017-5-24 10:12 | 显示全部楼层
qwertwuyu 发表于 2017-5-24 10:03
一般怎么选这个值呢

D1应串只小电阻来耗能,才能有效吸收反电势,因为电感内阻较小,不能完全耗能,会再次回输到D1,造成多次回输.
电阻大小算也算不准,还是看波形,实验方法靠谱有效.
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