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如图,当线圈接触不好活人为拿开,就会造成IRF9540

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cpu51|  楼主 | 2017-5-22 12:06 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 cpu51 于 2017-5-23 22:38 编辑

如图,当线圈接触不好或人为拿开线圈,就会造成IRF9540击穿,如何改进呢?请做过的大神指点一下。

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沙发
tyw| | 2017-5-22 12:39 | 只看该作者
线圈断开时反电势视Q值可达Vcc的10~14倍.引起管子击穿.
可在L两端并RC吸收,调整参数,用示波器看,反电势最小为度.

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板凳
maychang| | 2017-5-22 14:18 | 只看该作者
“如图,当线圈接触不好或人为拿开线圈,就会造成IRF9540击穿”

图呢?

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地板
cpu51|  楼主 | 2017-5-23 22:39 | 只看该作者
不好意思,图终于传上来了,我在D1两端并了1000PF电容,MOS也会击穿。

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5
qwertwuyu| | 2017-5-24 10:03 | 只看该作者
tyw 发表于 2017-5-22 12:39
线圈断开时反电势视Q值可达Vcc的10~14倍.引起管子击穿.
可在L两端并RC吸收,调整参数,用示波器看,反电势最 ...

一般怎么选这个值呢

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6
tyw| | 2017-5-24 10:12 | 只看该作者
qwertwuyu 发表于 2017-5-24 10:03
一般怎么选这个值呢

D1应串只小电阻来耗能,才能有效吸收反电势,因为电感内阻较小,不能完全耗能,会再次回输到D1,造成多次回输.
电阻大小算也算不准,还是看波形,实验方法靠谱有效.

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