发新帖我要提问
返回列表
打印
[技术讨论]

MOS管的开关损耗和自身那些参数有关？

[复制链接]
1480|4
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
小小的暖太阳|  楼主 | 2017-5-31 10:41 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS管, 开关损耗, 电容, 输出电容
MOS管的导通损耗影响最大的就是Rds，而开关损耗好像不仅仅和开关的频率有关，与MOS管的结电容，输入电容，输出电容等都有关系吧？具体的关系是什么？有没有具体计算开关损耗的公式？感觉好晕啊这些~~求各位前辈帮忙~~

使用特权

评论回复 赏

相关下载

相关帖子
沙发
446267568| | 2017-5-31 16:24 | 只看该作者
附件是功率MOS的分析，提到了开关损耗的计算，可以参考一下

×功率MOSFET的特性.pdf

3.77 MB

使用特权

评论回复 赏
板凳
掌灯护航| | 2017-5-31 21:40 | 只看该作者
回复学习一下。

使用特权

评论回复 赏
地板
小小的暖太阳|  楼主 | 2017-6-1 09:13 | 只看该作者
446267568 发表于 2017-5-31 16:24
附件是功率MOS的分析，提到了开关损耗的计算，可以参考一下

谢谢~我好好看看

使用特权

评论回复 赏
5楼
宇容创行| | 2017-6-1 10:17 | 只看该作者
只知道rds

使用特权

评论回复 赏
返回列表
发新帖 我要提问
高级模式
B Color Image Link Quote Code 收费 Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

小小的暖太阳

7

主题

19

帖子

2

粉丝