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[技术讨论] MOS管的开关损耗和自身那些参数有关？

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 楼主| 小小的暖太阳 发表于 2017-5-31 10:41 | 显示全部楼层 |阅读模式
MOS管, 开关损耗, 电容, 输出电容
MOS管的导通损耗影响最大的就是Rds，而开关损耗好像不仅仅和开关的频率有关，与MOS管的结电容，输入电容，输出电容等都有关系吧？具体的关系是什么？有没有具体计算开关损耗的公式？感觉好晕啊这些~~求各位前辈帮忙~~
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446267568 发表于 2017-5-31 16:24 | 显示全部楼层
附件是功率MOS的分析，提到了开关损耗的计算，可以参考一下

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掌灯护航 发表于 2017-5-31 21:40 | 显示全部楼层
回复学习一下。
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 楼主| 小小的暖太阳 发表于 2017-6-1 09:13 | 显示全部楼层
446267568 发表于 2017-5-31 16:24
附件是功率MOS的分析，提到了开关损耗的计算，可以参考一下

谢谢~我好好看看
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宇容创行 发表于 2017-6-1 10:17 | 显示全部楼层
只知道rds
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