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MOS管的开关损耗和自身那些参数有关？

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小小的暖太阳|  楼主 | 2017-5-31 10:41 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS管, 开关损耗, 电容, 输出电容
MOS管的导通损耗影响最大的就是Rds，而开关损耗好像不仅仅和开关的频率有关，与MOS管的结电容，输入电容，输出电容等都有关系吧？具体的关系是什么？有没有具体计算开关损耗的公式？感觉好晕啊这些~~求各位前辈帮忙~~

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沙发
446267568| | 2017-5-31 16:24 | 只看该作者
附件是功率MOS的分析，提到了开关损耗的计算，可以参考一下

×功率MOSFET的特性.pdf

3.77 MB

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板凳
掌灯护航| | 2017-5-31 21:40 | 只看该作者
回复学习一下。

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地板
小小的暖太阳|  楼主 | 2017-6-1 09:13 | 只看该作者
446267568 发表于 2017-5-31 16:24
附件是功率MOS的分析，提到了开关损耗的计算，可以参考一下

谢谢~我好好看看

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5楼
宇容创行| | 2017-6-1 10:17 | 只看该作者
只知道rds

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