为啥H桥老是烧P MOS 管！！！

只看该作者 · 2017-6-6 17:02

本帖最后由 suxilong 于 2017-6-6 17:52 编辑

如下图所示

这是一个控制电磁阀的电路，电磁阀就是一个线圈。
H桥的源最大是16V。Pmos 使用 AO3401 ，图中两个电容没有接的！

控制一段时间后，发现 Pmos 经常损坏，也不是烧糊了，好像是击穿了~~~~

请问这个是什么原因把 Pmos 搞坏了！！！！

只看该作者 · 2017-6-6 21:28

R9，R10改为1K，试下

只看该作者 · 2017-6-6 22:32

电磁阀动作时会产生很高的反向电动势，容易击穿mos管

1万 · 2017-6-7 08:25

本帖最后由 zhaoyu2005 于 2017-6-7 08:49 编辑

少四个二极管，体二极管不行，需要外加大电流，速度快点的。还有栅极串得的电阻太大了，会增加开关时间，管子容易发热

只看该作者 · 2017-6-7 08:44

zhaoyu2005 发表于 2017-6-7 08:25
少四个二极管，体二极管不行，需要外加大电流，速度快点的。还有也要注意死区控制 ...

四个二极管应该选什么型号的？

只看该作者 · 2017-6-7 08:48

chuangong 发表于 2017-6-6 21:28
R9，R10改为1K，试下

什么原因？？改成1K ???
之前我改为0Ω，但是驱动不了！！！

改成1K 的原理是什么？

只看该作者 · 2017-6-7 09:54

你的电磁阀是双向电磁阀么？怎么使用H桥驱动？
另外R9，R10改成1K的目的是增大P沟道的通过的电流。你两个56K分压，其实就是8V，P沟道模式管都没有完全打开！烧也是有原因的
另外，MOS管的g极串联的电阻也没有必要2K那么大，有个3-20R就OK了。
如果是控制电机与电感类的负载，建议你H桥四个管子都增加FR307（根据你的额定电流来，你这个估计FR207或者107都可行）

只看该作者 · 2017-6-7 10:18

autooy 发表于 2017-6-7 09:54
你的电磁阀是双向电磁阀么？怎么使用H桥驱动？
另外R9，R10改成1K的目的是增大P沟道的通过的电流。你两个56 ...

首选谢谢你的回复。但是我还是有些不懂

你的电磁阀是双向电磁阀么？怎么使用H桥驱动？

是的，这个电磁阀需要双向控制，所以用H桥驱动

另外R9，R10改成1K的目的是增大P沟道的通过的电流。你两个56K分压，其实就是8V，P沟道模式管都没有完全打开！烧也是有原因的

我的理解是：
修改R3 与R9 的比例 ===》使得 Vgs 小于一定值达到导通的效果，
假设 H桥的源电压是16V
如果把R9改成1K ，那么 Pmos 的Vgs 不就是 16* 56/(56+1) 有15V 左右，而Pmos 的Vgs 是±12V，这样不是直接把 Pmos 搞坏？？？？

另外，MOS管的g极串联的电阻也没有必要2K那么大，有个3-20R就OK了。

你是说H桥的下臂 Nmos 的g 极不用串这么大的电阻？大了好像也没什么问题。。。不过我想这个大小应该不是导致Pmos 损坏的原因

如果是控制电机与电感类的负载，建议你H桥四个管子都增加FR307

你的意思是反向电动势将其损坏了~~ 外接二极管进行抗反向电动势？？？？

我真的是菜鸟，很多问题都不是很明白，希望大侠赐教

只看该作者 · 2017-6-7 10:50

suxilong 发表于 2017-6-7 10:18
首选谢谢你的回复。但是我还是有些不懂

你的电磁阀是双向电磁阀么？怎么使用H桥驱动？

其实，我最想问的倒不是这个，而是，你的电磁阀额定工作电压及额定工作电流，因为在直流电磁阀工作过程中，启动时的电流比较大，而后额定后，随着时间久，它本身发热，内阻会增大，为了维持它继续工作，电流也会增大。
另外，你需要不停PWM变换么？

只看该作者 · 2017-6-7 11:15

autooy 发表于 2017-6-7 10:50
其实，我最想问的倒不是这个，而是，你的电磁阀额定工作电压及额定工作电流，因为在直流电磁阀工作过程中 ...

电磁阀的内阻是6Ω 左右，

这个电磁阀只需要一个正向脉冲，就吸过去了，后续不用再持续供电~~~~
一个反向脉冲，就弹回来，后续同样不需要持续供电。。。

它本身可以维持现状的！！！

驱动的时候脉冲的要求是， 8V 的电压至少80ms，电流是1.1~1.2A 左右

只看该作者 · 2017-6-7 16:33

如果把R9改成1K ，那么 Pmos 的Vgs 不就是 16* 56/(56+1) 有15V 左右，而Pmos 的Vgs 是±12V，这样不是直接把 Pmos 搞坏？？？？

------那么你得重新算下Vgs，吧56k减少吧；动作慢也会燒管，如果是我16V就不用 AO3401了，才10Vgs

只看该作者 · 2017-6-7 16:41

在门级与地之间加一个小于10V的稳压管，需重新计算R9\R10的阻值使之余稳压管匹配

4万 · 2017-6-7 23:02

驱动不足，MOS管没有饱和。

只看该作者 · 2017-6-8 08:46

chunyang 发表于 2017-6-7 23:02
驱动不足，MOS管没有饱和。

版主整个电路是这样：

前级对两个5号电池的电压进行升压。。。

通过一个 Pmos Q11 的控制 50ms 一次  循环的打开，然后15K比1K 的分压，进行ADC 检测 VCC_HB 升压是否达到16V。
达到之后就不再升压。。

然后Q11 打开， VCC_HB  给H桥供电。  接着通过控制H桥，控制电池阀。。。。。

目前发现的情况是各种烧管， Pmos各种击穿~~~~~

烧管冒烟的有:  控制升压电路的 Q10
不冒烟损坏的有：  Q11 控制VCC_HB 给H桥通电的。  Q1和Q2  H桥的上臂 Pmos

发现问题：

1.  Pmos AO3401 的Vgs 要求是 ±12V，  当升压到 16V 之后， Q11 必死无疑是吗 ? 但损坏的次数还不及 Q1 Q2 多
2. 但是 Q1，Q2 虽然用 R3，R4，R9,R10 进行分压，  但是示波器探针测试 Q1，Q2 的G 极电压依然是升压的VCC_HB ~~~~~为什么分压没起作用？？？
难道 Vgs 指的是 G 到S 的电压，而不是G 到GND 的电压？？？
3. 为什么 Q10 8050 也会烧坏呢? 而且还是冒烟的那种~~~~

尝试的办法：
将R3,R4 由56K  改为4.7K。将R9,R10由 56K  改为 1K。。。  结果也是一样~~~~

网上问了一圈说法各一：
1.  电磁阀的反向电动势把Q1 Q2 打死了~~~~，加外置二极管，Q1，Q2  的体二极管不适合~~~~~
2.  R3，R4 与 R9 R10 的值太大了要改小 ~~~~

只看该作者 · 2017-6-8 09:42

对楼上好几位都说了，体二极管本身作为泻放通道本身能力不足，增加个二极管，并且并联一个阻容吸收。

只看该作者 · 2017-6-8 10:43

学生的

只看该作者 · 2017-6-8 11:51

8v的电磁阀为什么要用16v供电?

只看该作者 · 2017-6-8 13:38

jungle 发表于 2017-6-8 11:51
8v的电磁阀为什么要用16v供电?

什么8V 的电磁阀~~~~

只看该作者 · 2017-6-8 16:16

电磁阀的内阻是6Ω 左右，

这个电磁阀只需要一个正向脉冲，就吸过去了，后续不用再持续供电~~~~
一个反向脉冲，就弹回来，后续同样不需要持续供电。。。

它本身可以维持现状的！！！

驱动的时候脉冲的要求是， 8V 的电压至少80ms，电流是1.1~1.2A 左右

看错了，以为是电池阀工作电压是8v
mos管一般要注意反向保护和驱动时序的死区保护

只看该作者 · 2017-6-8 18:49

jungle 发表于 2017-6-8 16:16
电磁阀的内阻是6Ω 左右，

这个电磁阀只需要一个正向脉冲，就吸过去了，后续不用再持续供电~~~~

你说的死区是不是 H桥同时导通？？？？
反向保护，是不是加外置二极管？？？

为啥H桥老是烧P MOS 管！！！

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