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升压电路和H桥电路 一起各种烧管 各种Pmos击穿

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楼主
请各位大侠 帮帮忙 分析分析

整个电路是这样:

前级 对两个5号电池的 电压 进行升压。。。

通过一个 Pmos Q11 的控制 50ms 一次  循环的打开,然后15K比1K 的分压 ,进行ADC 检测 VCC_HB 升压是否达到16V。
达到之后就不再升压。。

然后Q11 打开, VCC_HB  给H桥 供电。  接着 通过控制H桥 ,控制电池阀。。。。。


目前发现的情况 是 各种烧管, Pmos各种 击穿~~~~~

烧管冒烟的 有:  控制升压电路的 Q10  
不冒烟 损坏的 有:  Q11 控制VCC_HB 给H桥通电的。  Q1和Q2  H桥的上臂 Pmos

发现问题:

1.  Pmos AO3401 的Vgs 要求是 ±12V,  当升压到 16V 之后, Q11 必死无疑 是吗 ? 但损坏的次数 还不及 Q1 Q2 多
2. 但是 Q1,Q2 虽然用 R3,R4,R9,R10 进行分压,  但是示波器探针测试 Q1,Q2 的G 极电压 依然是升压的VCC_HB ~~~~~为什么分压没起作用???
    难道 Vgs 指的是 G 到S 的电压, 而不是G 到GND 的电压???
3. 为什么 Q10 8050 也会烧坏呢? 而且还是冒烟的那种~~~~

尝试的办法:
将R3,R4 由56K  改为4.7K。   将R9,R10由 56K  改为 1K。。。  结果也是一样~~~~


网上问了一圈 说法各一:
1.  电磁阀的反向电动势 把Q1 Q2 打死了~~~~,加外置二极管 ,Q1,Q2  的体二极管 不适合~~~~~
2.  R3,R4 与 R9 R10 的值太大了 要改小 ~~~~

2.jpg (289.67 KB )

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沙发
一周一天班| | 2017-6-8 11:11 | 只看该作者
R9,R10为56K不能使PMOS完全导通,PMOS等效一个阻值大的电阻。改为100欧-200欧

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板凳
一周一天班| | 2017-6-8 11:14 | 只看该作者
PMOS最好用专用驱动IC驱动,提高驱动波形的斜率,减少寄生电容造成的开关延时。开关延时是烧坏的主要原因。你至少得用NPN,PNP做个高端得H驱动。

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地板
suxilong|  楼主 | 2017-6-8 13:37 | 只看该作者
一周一天班 发表于 2017-6-8 11:14
PMOS最好用专用驱动IC驱动,提高驱动波形的斜率,减少寄生电容造成的开关延时。开关延时是烧坏的主要原因。 ...

R9,R10 改为100欧姆? 那R3 R4呢?
Q4 Q5 不就是个NPN 吗?能详细点吗?

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5
一周一天班| | 2017-6-8 14:41 | 只看该作者
这个图凑合改的话,R3,R4改为2K,R9,R10改为22欧左右。C7C8不要(加速了下降沿,但反过来减速了上升沿,这个电路主要是上升沿慢问题),可以用示波器看看PMOS的G波形,看看斜率。尽量达到波形非常垂直。

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6
弓长张| | 2017-6-8 15:32 | 只看该作者
电池、电感、Q10导通组成了回路

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7
弓长张| | 2017-6-8 15:36 | 只看该作者
如果Q4、Q5没有导通怎么会有分压呢

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8
suxilong|  楼主 | 2017-6-8 15:57 | 只看该作者
一周一天班 发表于 2017-6-8 14:41
这个图凑合改的话,R3,R4改为2K,R9,R10改为22欧左右。C7C8不要(加速了下降沿,但反过来减速了上升沿,这个 ...

大侠,这个H桥不需要PWM 调速,  只是间隔很长时间正向或者反向 打开100ms 然后关闭~~~~
G的波形如下图锁


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IMG_4561.JPG

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9
suxilong|  楼主 | 2017-6-8 16:00 | 只看该作者
弓长张 发表于 2017-6-8 15:36
如果Q4、Q5没有导通怎么会有分压呢

我用示波器的两个通道,分别接 Q1 的G 和S 极, 然后再Q4打开的时候, 测出两个波形

本来是想 Vgs 的电压应该 是 这两个波形的幅度差,,,, 但是 很遗憾 两个波形是完全重叠的!!!

那么Vgs 是不是0????

但是R3和R4 我取值是 56K 56K, 按道理分压的话 VCC_HB 是16V  那Vg-Vs 就 是8V才对?

可是为什么呢~~~~ 你说为什么呢???

IMG_4561.JPG (388.92 KB )

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10
弓长张| | 2017-6-8 17:14 | 只看该作者
suxilong 发表于 2017-6-8 16:00
我用示波器的两个通道,分别接 Q1 的G 和S 极, 然后再Q4打开的时候, 测出两个波形

本来是想 Vgs 的电 ...

正常情况下Q4导通,应该会分压的(虽然不能将Q1完全导通发热量就会高)!你可以试一下将R9换成0欧电阻(或者短路),再将Q4导通看看Q1的G极、S极电压变化,

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11
suxilong|  楼主 | 2017-6-8 17:26 | 只看该作者
一周一天班 发表于 2017-6-8 14:41
这个图凑合改的话,R3,R4改为2K,R9,R10改为22欧左右。C7C8不要(加速了下降沿,但反过来减速了上升沿,这个 ...

大侠, 换了之后 直接把Pmos 击穿了~~~~~

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12
suxilong|  楼主 | 2017-6-8 18:48 | 只看该作者
弓长张 发表于 2017-6-8 17:14
正常情况下Q4导通,应该会分压的(虽然不能将Q1完全导通发热量就会高)!你可以试一下将R9换成0欧电阻(或 ...

R4 为0Ω,根本就导通不了~~~~

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13
一周一天班| | 2017-6-9 10:47 | 只看该作者
波形严重不对啊,下降延是放电曲线一样,不烧才怪。查查为啥这样,是否有虚焊什么的

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14
suxilong|  楼主 | 2017-6-9 15:15 | 只看该作者
一周一天班 发表于 2017-6-9 10:47
波形严重不对啊,下降延是放电曲线一样,不烧才怪。查查为啥这样,是否有虚焊什么的 ...

VCC_HB 是一个大电容蓄的电, 打开H桥之后,电容放电 ,所有是这样~~~

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15
一周一天班| | 2017-6-9 17:14 | 只看该作者
你量下R3R9连接点波形

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16
一周一天班| | 2017-6-9 17:17 | 只看该作者
电压都下降了,你这谈mos的参数有啥意义,怎么做怎么不对。联系先找个稳定的电源,再看看其它问题

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17
一周一天班| | 2017-6-9 17:26 | 只看该作者
怀疑MOS的封装引脚你搞错了,连8050都烧,也就引脚错才会

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18
mmuuss586| | 2017-6-9 18:19 | 只看该作者
电路设计成这样,不烧就是奇迹了

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19
一周一天班| | 2017-6-9 19:16 | 只看该作者
买个集成的ic吧,比如ir2110,几块钱,干嘛自己设计?

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20
QuakeGod| | 2017-6-9 21:07 | 只看该作者
mmuuss586 发表于 2017-6-9 18:19
电路设计成这样,不烧就是奇迹了

对头

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