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升压电路和H桥电路 一起各种烧管 各种Pmos击穿

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楼主: suxilong
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suxilong|  楼主 | 2017-6-9 22:59 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
mmuuss586 发表于 2017-6-9 18:19
电路设计成这样,不烧就是奇迹了

版主,我真心期待你能指教一下。

而不是不烧才是奇迹, 那到底为什么烧呢?

但是如果只是这样的回复,我希望不要浪费你的时间!

谢谢!

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suxilong|  楼主 | 2017-6-9 23:00 | 只看该作者

愿闻其详!!!

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whtwhtw| | 2017-6-10 09:56 | 只看该作者
suxilong 发表于 2017-6-8 16:00
我用示波器的两个通道,分别接 Q1 的G 和S 极, 然后再Q4打开的时候, 测出两个波形

本来是想 Vgs 的电 ...

Q1导通,G,S电压一样是正常的,因为Q4没有导通,Q1的G,S在一个电位上。如果这个时候Q4导通的话,GS就有压降了

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whtwhtw| | 2017-6-10 09:59 | 只看该作者
本帖最后由 whtwhtw 于 2017-6-10 10:20 编辑

Q1,Q2G极的电容要去掉,没看见波形的下降沿奇丑无比吗?拖这么长容易引起上下管直通,确实容易烧MOS
同时下面2个管都增加G极泻放电阻

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whtwhtw| | 2017-6-10 10:05 | 只看该作者
另外你的升压电路不知道是不是用的单片机PWM控制Q10的,如果是的话要单独一个单片机,别的任务都别做,因为任何一个不确定因素都容易导致Q10管直通。

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whtwhtw| | 2017-6-10 10:08 | 只看该作者
本帖最后由 whtwhtw 于 2017-6-10 10:13 编辑

电压检测在Q11后面,如果Q11没打开,电压检测不到,Q10使劲增加PWM占空比也没有效果,直至把Q10直通,或者输出电压太高把Q11击穿。


都没个人给你把把关?

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whtwhtw| | 2017-6-10 10:13 | 只看该作者
本帖最后由 whtwhtw 于 2017-6-10 10:17 编辑

Q1,Q2 的G 极电压是在Q3,Q4导通后才分压,Pmos是负压导通,不应该以地为参照,要以电源为参照
让你把R9,R10改成0或者小电阻的都是一瓶不响半瓶晃荡的,这你也敢信?
哎。。。问题太多,都不想说了


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zhuyemm| | 2017-6-10 14:05 | 只看该作者
谢谢楼主,支持分享

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suxilong|  楼主 | 2017-6-10 16:32 | 只看该作者
whtwhtw 发表于 2017-6-10 10:13
Q1,Q2 的G 极电压是在Q3,Q4导通后才分压,Pmos是负压导通,不应该以地为参照,要以电源为参照
让你把R9 ...

whtwhtw ,谢谢你的回复。  但有些地方,我还是不理解:

23楼:
Q1导通,G,S电压一样是正常的,如果这个时候Q4导通的话,GS就有压降了

=====》这个怎么理解?在这个电路上Q1 要导通 ,不是依赖Q4导通吗?
               难道存在 这种情况   “Q4没导通  Q1导通”

24楼:
Q1,Q2G极的电容要去掉,没看见波形的下降沿奇丑无比吗?拖这么长容易引起上下管直通,确实容易烧MOS
同时下面2个管都增加G极泻放电阻

=====》 实际上 Q1,Q2  G极的电容我没有焊接。因为VCC_HB是大电容蓄积的能量,当H桥工作时,电磁阀是个6欧姆的线圈,是不是就等效于 对一个电阻放电,而Q1 Q2 G极电压是VCC_HB (或者说VCC_HB的分压),那 波形呈现这样下降,不对吗??

25楼:
另外你的升压电路不知道是不是用的单片机PWM控制Q10的,如果是的话要单独一个单片机,别的任务都别做,因为任何一个不确定因素都容易导致Q10管直通。

====》这款单片机CC2530,PWM 输出,只要配置后开启, 它就是自动输出的,后续都不需要程序做任何操作, 不是应用程序中设一个任务去 切换IO状态~~~, 你是不是担心执行其他任务 ,而延迟了IO 的输出~~~??? 如果存在Q10管直通的现象,也不应该 是任务繁忙导致~~~

26楼:
电压检测在Q11后面,如果Q11没打开,电压检测不到,Q10使劲增加PWM占空比也没有效果,直至把Q10直通,或者输出电压太高把Q11击穿。

Q11 定期打开,然后ADC检测,这个是应用程序的任务,如果长期没打开,确实是检测不到电压,但Q10不会使劲增加PWM,PWM 从头到尾 都是设定为同一频率200KHz,80%占空比。
但==“直至把Q10直通”==这个跟上面我说的一样,Q10 的打开关闭取决于PWM,而PWM 是一直为同一频率。
“输出电压太高把Q11击穿“  这个有可能,但是需要高达30V ,这个Q11是A03401...

以上的顾虑 只会出现在程序混乱的情况,而且机率很少吧 目前应该都不是这种情况引发的吧~~~~

27 楼 :
Q1,Q2 的G 极电压是在Q3,Q4导通后才分压,Pmos是负压导通,不应该以地为参照,要以电源为参照
让你把R9,R10改成0或者小电阻的都是一瓶不响半瓶晃荡的,这你也敢信?
哎。。。问题太多,都不想说了

====》 负压导通,那么请问一下,拿Q1来说,  Q4导通了。
             Q1 的Vg 是:  VCC_HB * (R9/(R9+R3))
             还是  VCC_HB * (R3/(R9+R3))  
             这个我一直糊涂~~~

是啊,将R9,R10 改小的我试过,都怪怪的,就是说不出为什么~~~~



无论如何,十分感谢你的回复。


这是我重新发的一篇帖子, 总结了这一个多星期来调试的过程和一些解决不了的疑问

https://bbs.21ic.com/forum.php?mo ... p;page=1#pid7918182

希望你能抽时间帮忙看看!!!

谢谢  谢谢!





  





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30
青溪谷| | 2017-11-13 19:12 | 只看该作者











Q4发射极接到Q1的S极,Q4用光耦隔离驱动,作个悬浮地,Q1的间加10K放电电阻

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青溪谷| | 2017-11-13 19:13 | 只看该作者
Q1的GS间加10K放电电阻

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