这个一个多星期来 一直在论坛上发帖 请问关于H桥 烧毁Pmos ，升压电路的问题。 打扰到大家，真的不好意思！ 本着求教的心态，希望大家能够理解！ 现在将这一星期遇到的现象，再总结一下，希望各位大哥能够多多指教！
这个电路需要实现功能
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简述：
通过升压，然后依赖H桥 打开或关闭 电磁阀
具体描述：
2节5号电池供电VBAT，VBAT 一路给单片机供电，一路通过boost升压电路，将电压升至16V，然后作为H桥源。H桥 打开持续时间为100ms，不用PWM调速。
电磁阀规格：
电磁阀只需要一个100ms脉冲，8V，1.2A 就可瞬间打开或者关闭，状态可保持，后续不用持续供电。脉冲的正向和反向决定了电磁阀的打开或者关闭。
升压电路参数：
电感L : 220UH
三极管 Q10 : 8050 NPN
二极管D : SS14
电容 C: 10000Uf /25V
PWM 频率：200Khz
PWM 占空：80%
升压电路出现问题：
1. 单片机烧毁
2. 单片机输出PWM 波形H_EN 于Q10 基极波形不一致
3. Q11损坏，像是被击穿了
4. Q10 是NPN 8050 ，出现过几次烧毁
针对问题1，单片机烧毁的问题，由于没有找出根本原因，怀疑是升压电路中L的能量在最后关闭的时候，没能释放 然后回灌过来，导致单片机烧毁 。于是在升压电路的输入端加入一个SS14 进行隔离，后面再也没有烧毁单片机的现象。
带来的新的问题：
加上SS14在升压电路输入端，出现了，升压完毕，Q10 截止后，Q10 C极的电压不等于电池的电压，而是TP1 端电压的1/2,(即升压后的电压)。
如果升压到12V，Q10 C极的电压就是6V，
如果升压到9V，Q10 C极的电压就是4.5V
而这个现象也导致了，升压过程中 Q10 导通时，无法达到饱和的状态，每次导通Q10 C极的电压都不能低于0.2v..
去掉SS14 之后就没有这种现象~~~
所以没找出根本原因之前，千万别乱改电路，不然又引入新的问题。
目前SS14还加着，等单片机回来，再去掉，继续看看是不是还会烧~~~
疑问：升压电路的L 是否真的存在能量 回灌 呢？？？
为什么加上SS14之后 Q10 的C极就会等于升压后电压的1/2呢？为什么不是电池电压减去SS14 的导通电压呢？
针对问题2，当我改变R21等于1K 时，我改变PWM的频率，800Khz200KHz 50Khz。得出一个现象，频率越大，Q10 B极的波形就越不像 单片机输出PWM 波形。 它的下降压好像存在很大延时似的。。。这也是导致升压中Q10 导通没办法饱和的一个原因。
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然后我通过改变R21 的阻值，在同样的频率下， 20Ω，100Ω 1KΩ 10KΩ，发现随着电阻的减小，H_EN 的幅值也在减小， 但是PWM 的波形没变
20Ω，H_EN 的幅值为0.9V
100Ω，H_EN 的幅值为1.56V
1KΩ，H_EN 的幅值为3.0V
10KΩ，H_EN 的幅值为3.0V
而当电阻为20Ω，Q10 B极的波形终于和单片机输出PWM 波形一致了，升压过程中，Q10导通时，也终于饱和了~~~~
疑问：这个8050是不是假货~~~~为什么B极 必须串这么小的电阻才可以？？？ 是什么原因导致串联的电阻越大，下降压延时就越大？？这个NPN 该如何选型？？？
针对问题3，应该是电压升太高了。Q11选的是AO3401 的Pmos 管，该管的Vgs是±12V
当电压升12V时，一旦Q12打开，Vg=0，那么Vgs就是升压后的电压 即-12V这时 Q11就损坏了~~~~
所以这个Q11的Vgs 是不是就限制了这个升压电路最高能升至几V？？
针对问题4 目前仍然一头雾水，不知道为什么就烧毁了，而且是冒烟~~~！！！
升压电路遇到的问题和尝试 就以上这些！！！接下来说说 H 桥的问题！
H桥主要是 两个Pmos 管出现类似Q11一样击穿的现象。
网上发帖几轮之后，什么答案都有，基本如下：
1 . R3 R4 R9 R10 阻值太大无法完全打开Pmos，===》但是这个值情况下，我试了很多次只要升压足够，电磁阀都能操作~~~Pmos 没完全打开 就会坏了？
2. 反向电动势损坏了Pmos，Pmos的体二极管不足以抵抗反向电动势===》如果是这样，那为什么只是偶尔损坏呢？而不是经常损坏？
3. 什么死区时间。。====》我不是很懂死区时间是什么，但这个电路没有PWM 调速的，还需要考虑吗？
最后我说说我自己的看法：
我认为还是 VCC_HB 升压到12V超出Pmos 本身 的Vgs，导致Pmos 击穿了。
这个和Q11 损坏的原因应该是一样的。
如图所示：
但 H_A =1 H_B=0 ,时
Q1 导通 此时Vs1电压应该是VCC_HB，而Vg1的电压应该1/2VCC_HB（如果R3=R9时），
Vgs =Vg1-Vs1= -1/2 VCC_HB ,
当VCC_HB 是12V时，那么 Vgs1 = - 1/2*12V =-6V
满足Vgs ±12V的要求，应该就不会击穿损坏
当是 这个时候很容易忽略的是 Q7导通了，Vs2的电压应该是接近于0V。
那么 对于Q2 来说，它的Vgs =Vg2-Vs2
Q5没导通， Vg2 =VCC_HB=12V 而Vs2又接近于0V
Q2 的Vgs 就接近 ±12V ，那么Q2 就危险 了有被损坏了可能。。。。
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以上分析不知道 对不对， 但我知道肯定有人会说，既然这样那怎么不是百分百损坏呢？怎么又是偶尔损坏呢？
我觉得原因有两个：
1. Q7 的内阻可能分了一些压 让Vgs不至于真的等于12V （ 虽然是毫欧级别，有点勉强）。但规格书说的±12V 应该也是有点裕量的吧
2. 就如升压的电路原理，是将能量蓄积在电容里面，而当H桥某一边导通时，电容是瞬间对电磁阀进行放电的，这个就导致了 H桥导通时，VCC_HB 不是一直保持12V，而是慢慢减少的，这也就减少了损坏的可能性！！！
归根到底还是 Pmos 的Vgs 决定了H桥的源 电压最大能是多少！
希望各位大侠 帮忙解决解决上面的疑问！！！
最后附上几个建议： 为什么发帖 时中间怎么插图 呢？ 如果篇幅大了，图片都放在后面 读帖的人 很不舒服~~~~希望能够增加这个功能。
发帖本来就是交流请教！我感谢每一个真心指教的人，chunyang 但是也有些人回得 实在是让人费解： 电路设计成这样不烧才怪， 对的， 什么什么改一下~~~~ 诸如此类
要真的愿意指教，愿闻其详，但如果不想，我真心的希望不要浪费你宝贵的时间
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