发现做DC-DC的NMOS管有一个特点 就是低的导通电阻和低的Qg,logic level 一般我看到如果用DC-DC芯片做电源的话都用SO-8封装的,都是针对DC-DC转换优化了的~~~包括出大电流与大功率的很多都用那种SO8的NMOS, 但是同时也有一些参数和价格和SO8差不多的也是低导通电阻,低Qg,logic level的DPAK,与D2PAK的NMOS管,我想问一下,一般使用哪种较好一点?? 我看到一般的demo板上都用SO8封装的,总觉得SO8的出大功率不太靠谱~~~~
谢谢~~~ 如果我不用那种SO8的用DPAK或者D2PAK的要注意什么?
是不是Qg这个参数影响了DC-DC以及NMOS的开关功耗? 还是NMOS的几个极的分布电容??
谢谢~~~ |