关于Flash的操作

只看该作者 · 2017-6-13 15:12

关于Flash的操作，有几个问题需要请教下：
问题1.写半字操作,如下是利用库函数
void Flash_Write(uint32_t Address,uint8_t value)
{
      FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;

      assert_param(IS_FLASH_PROGRAM_ADDRESS(Address));

      status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_ER_PRG_TIMEOUT);
      if(status == FLASH_COMPLETE)
            FLASH_Unlock();

      FLASH_ProgramHalfWord(Address,value);

      status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_ER_PRG_TIMEOUT);
      if(status == FLASH_COMPLETE)
            FLASH_Lock();
}
这里有个问题：看参考手册，Flash会预读下一个待编程字节，是否全为1，如果不是，则自动停止，但我看了一些例程，在半字写入时，并没有这个检查，如果待写入字节非0xFFFF或0x0000，那不是会出错吗？
如果会出错，那该怎么处理？可以进行半字擦除？

问题2.对于多个半字写入
有两种方式：一种就是一个一个的半字写入；
另一种是整页读出，再写入，会对已有的内容做一个检查，看看待写入区域内是否有内容，给出提醒，或者是编程者已知区域内会有内容，做强制写入
这个步聚就是先读出页内容，然后页擦除，然后把待写入内容加入到擦除前读出的缓冲中，最后写入整页。但由于单页有1KB的容量，这个很费内存。

只看该作者 · 2017-6-13 16:13

关于第一个问题，我自已试了下
Flash_WriteHalfWord(USER_FLASH_BASE,0x0000);
Flash_WriteHalfWord((USER_FLASH_BASE+2),0xCCDD);
Flash_WriteHalfWord(USER_FLASH_BASE,0xAAEE);
不管第一句写全零还是非全零，第三句都无法写入成功，全零情况下，调试进入函数，status也是报警信息，这是参考手册有问题吗？

只看该作者 · 2017-6-13 16:15

如果待写入半字内容非0xFFFF，写入都无法成功,也就是如果是要改变非0xFFFF内容的地址数据，只能进行页擦除，再逐个写入了？

关于Flash的操作

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