STM32内部FLASH可以实现EEPROM 为什么有的产品还要加24C02

只看该作者 · 2017-6-16 11:16

STM32内部FLASH可以实现EEPROM 为什么有的产品还要加24C02?
内部模拟EEPROM有什么弊端吗？各有什么优缺点！

只看该作者 · 2017-6-16 12:24

FLASH只能按块擦除，哪怕你只改一个字节，也需要把整块擦除重新写入，在一些需要频繁小数据量改写的情况下不太适用。

1万 · 2017-6-16 12:25

使用不如24C02灵活，可能被当做程序擦除

只看该作者 · 2017-6-16 14:35

模拟e2prom太耽误时间，本来资源就不那么富裕，而且flash写入次数有限

1万 · 2017-6-16 15:25

还有程序擦除参数就丢了

只看该作者 · 2017-6-16 16:42

本帖最后由 yinsheng1990 于 2017-6-16 16:45 编辑

1、不需要频繁读取写入数据到flash时，可以直接存在内部flash，比如只存一些产品信息2、内部FLASH普遍只能擦写10000次，频繁写入数据时比如写入到外部存储器。
3、外部存储器也要分的。铁电贵但是擦写次数高得惊人，e2prom便宜些。
4、存在内部不可靠，可能会误操作擦除。

3万 · 2017-6-16 17:33

有些产品考虑移植性，都是用eeprom的

只看该作者 · 2018-4-17 16:37

领教了

1万 · 2018-4-18 10:23

用外部的存储器较多，用着方便

只看该作者 · 2018-4-18 11:15

如果是频繁的要保存各种数字,要保存的数字也比较多,当然是用外部的24C02 这样的EEPROM,这两个的区别就是,
读是一样的,写的时候就不同的了.
内部的类EEPROM ,每次去写数字,都要先做整块ERASE 动作,所以你想想就知道的了,如果你只UPDATE一个BYTE 的数字,要先把一个块(一般256BYTES)做ERASE后再写
外部的EEPROM 写数字就简单多的了,要UPDATE 哪个BYTE ,直接对哪个BYTE 写就可以,

只看该作者 · 2018-4-19 15:04

首先正好这个问题，我做过实验，当时也是和另外一个工程师争论这个问题。我是使用内部FLASH的。那个工程师和你们一样哔哔，什么只能写10000次，什么整页擦除速度慢之类的误导性的话语。我感觉你们不是工程师，而像律师

。我实验的结果，就编写程序写入1kbye的数据，然后读出来比较是否正确，每次写入的数据还发生变化。读写多少次通过串口输出显示。我上班时间就运行程序，两天大概有80万次后依然没有任何错误。而且读写的速度丝毫不觉得慢，我用的是STM32F103C8T6芯片。所以对绝大多数的项目来说，真的没必要外加EEPROM！！！至于参数会因为程序重新烧写会覆盖的问题，编程器里可以选择只擦除必要部分。

只看该作者 · 2018-4-19 16:08

FLASH的寿命和EEPROM比还是差一个数量级，EEPROM可以字节操作，FLASH要页操作。楼上的测试可以做参考，但是极限环境请慎用。大厂的数据手册参数都是比较保守的，考虑的是在整个工作范围内(包括全温度范围，全电压范围内)都能可靠工作的参数。

十几年前的AVR，FLASH寿命只有1000次，但是我们有一些测试样板，测试了十几年了，至少擦除写入1万多次了，也没见坏
另外一个就是工作频率和这个FLASH寿命也一样，如果不把所有外设开起来在极端环境下全速跑，至少可以超频20%。
有一次和原厂的人聊天，人家就直白的说，从晶圆上切下来后，往往边缘的品质会差一些，中心区域的会好一些，有些厂家就按照最边缘的来标参数，有些厂家会再测试筛选一遍根据测试结果标等级。