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现在的晶体管开关速度提高了吗?

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楼主
现在普通的晶体管2n5551搭成发射极接地型开关,开关100kHz的-5V~5V方波信号,输出相比于输入信号上升下降沿延迟时间在几百ns数量级,
有个问题想请教,为什么输入信号从-5V变到5V输出延迟时间要大于输入由5V变为-5V的延迟时间,而不是相反,按说5V变为-5V晶体管由导通变截止需要的时间更长啊,该怎么解释这一实验现象呢?

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沙发
我是新手226|  楼主 | 2010-5-14 22:04 | 只看该作者
哎,这么多人看了,居然不搭理。呵呵,是不是问题过于简单了,看来要上张图才直观点

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板凳
我是新手226|  楼主 | 2010-5-14 22:16 | 只看该作者
画图过程中有了新发现……

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地板
xwj| | 2010-5-14 22:17 | 只看该作者
基本常识:
    三极管作为开关管时必须的避免深度饱和才能达到较高开关速度,因为进入深度饱和是的三极管要很长的时间(相对于高速信号)才能导通状态。

防止深度饱和的方法可以惊喜调整工作电流和驱动电流比例,更简单的就是在B、C极间加肖特基管,原理自己去思考:)

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iC921| | 2010-5-14 22:24 | 只看该作者
哎,这么多人看了,居然不搭理。呵呵,是不是问题过于简单了,看来要上张图才直观点
我是新手226 发表于 2010-5-14 22:04
该不是太难了吧?有图是能增加帖子的魅力

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iC921| | 2010-5-14 22:25 | 只看该作者
而且,看了老X的帖子,更觉得需要一张图

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7
我是新手226|  楼主 | 2010-5-17 09:43 | 只看该作者
上图是试验电路,下图是实测波形。

未命名2.gif (750.05 KB )

未命名2.gif

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chunk| | 2010-5-17 16:28 | 只看该作者
为何是“正负5V”?你试过“0V到+5V”到吗?你确定这个管子导通时是进入了“深度饱和”?
你是否愿意先“假设基极电阻减小10倍,观察到的波形会有XXXX变化”,然后根据这个假设重新制作电路并进行观察,来验证你预想的“XXXX变化”有无发生?

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我是新手226|  楼主 | 2010-5-17 17:45 | 只看该作者
直流输入实测:……Vin=2.94V, Vce=0.18V;Vin=3.25,Vce=0.16V.
Vce达到0.1V已经相当饱和了呀。难道交流输入还像运放一样存在转换速率跟不上的问题。不解?

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我是新手226|  楼主 | 2010-5-17 17:49 | 只看该作者
100kHz的话,高电平持续时间5us,莫非饱和和这个有关

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