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MOSFET 的问题

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舒云|  楼主 | 2009-2-12 10:24 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
舒云|  楼主 | 2009-2-12 10:25 | 只看该作者

电路

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板凳
舒云|  楼主 | 2009-2-12 10:25 | 只看该作者

MOSFET 的问题

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地板
PowerAnts| | 2009-2-12 10:51 | 只看该作者

这是漏感与极间电容形成的阻尼振荡

在DS极间加个RC吸收回路,让这个能量消耗在电阻上即可抑制。

时间常数与振荡周期相当即可,电阻大小视漏感能量而定,一般而言,大部份的漏感能量已经通过MOS的寄生二极管向源端辞放。

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舒云|  楼主 | 2009-2-12 11:19 | 只看该作者

弱弱问一下

DS极间加个RC吸收回路
RC 是串后并极间, 还是直接并极间

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6
PowerAnts| | 2009-2-12 11:25 | 只看该作者

RC串,然后并在DS两极间

C上并一快恢复二极管更好,二极管负端指向电源负端

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舒云|  楼主 | 2009-2-12 15:01 | 只看该作者

在 问

不带负载时, 只测MOS的 DS 也有同样的波形,  也是上面的原因产生的吗,
并接RC电路后, 振荡幅度有所减小,但最前面的一个幅度并没有减小?

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PowerAnts| | 2009-2-12 15:13 | 只看该作者

在4个MOS的DS间都反向并一个快恢复二极管

MOS的寄生二极管,恢复时间太长了。所以有这个高于VCC的过冲

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