为什么标称40A的MOSFET在10A时就烧了...

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 楼主| joelon 发表于 2009-3-14 11:54 | 显示全部楼层 |阅读模式
我用的是IRF5210作为一个电源的输出开关,P-channel,标称ID=-40A,VDSS=-100V,RDS(ON)=0.06欧姆,我的电源输出电压为50V,输出电流为25A以内,但当我输出10A电流的时候,管子就烧了,是不是我理解ID错了,还是应该再注意什么?请各位大虾指教...<br />
highend 发表于 2009-3-14 12:09 | 显示全部楼层

过压?反压?

G点?<br /><br />
 楼主| joelon 发表于 2009-3-14 12:59 | 显示全部楼层

在10V以内是正常工作的

在10V以内是正常工作的,VGS=-10V,VDSS=-50V(标称-100V,没过压,也没反压)
xwj 发表于 2009-3-14 13:02 | 显示全部楼层

功率? 散热?

  
JPL1007 发表于 2009-3-14 13:26 | 显示全部楼层

超过功率就会烧了!

  
雁过留痕 发表于 2009-3-14 14:18 | 显示全部楼层

00

洗碗机
maychang 发表于 2009-3-14 15:47 | 显示全部楼层

烧管子原因不仅是过流

更常见的是超温,即散热不够。<br />楼主未说明散热情况,很难判断为什么烧管子。
yewuyi 发表于 2009-3-14 16:22 | 显示全部楼层

LZ显然是没做散热,以为标到40A就可以在40A以下不做散热了

哈哈。。。
yewuyi 发表于 2009-3-14 16:27 | 显示全部楼层

就算是TO-220封装把。。。

P=I*I*R=25*25*0.06=37.5W<br /><br />哈哈,TO-220封装长期工作时依靠自身散热一般能弄到2W就了不得拉,你这37.5W的小电炉肯定要送它上西天了啊。。。<br /><br />即使是10A,也差不多有6W了,哈哈,短时间还勉强,但最后依然逃不了‘自焚’的下场。。。
tcc8073 发表于 2009-3-14 16:29 | 显示全部楼层

很多功率元件给的参数是在带多大散热片的的情况下测的

很多功率元件给的参数是在带多大散热片的的情况下测的,日本给的参数有时候有不少水份,美国器件给的参数比较准确;国产的参数只能说明一件事情,就是那家工厂抄了别人的东西想达到那么个目标参数,实际上是远远达不到的,最大教训是一次做了个IPOD充电器,用国产的IC产品不良到30%,IC稳定性极差,从此后不再正眼看国产IC,估计只有做垃圾的时候考虑
 楼主| joelon 发表于 2009-3-15 01:52 | 显示全部楼层

谢谢上面各位

谢谢上面各位的热心回答,估计我的管子烧的原因就是由于散热不够了。。。因为我的散热措施只是在MOSFET的底层加了个和封装同样大小的焊盘,之间用过孔连接(我的MOSFET是D2PAK封装的),再问:D2PAK封装依靠自身散热的话要保持功耗在多少内合适呢?如果在尽量不重做板子的情况下,有什么好的办法能帮我散热吗?是不是只能加散热片了呢?能不能推荐个散热片?
mic1984 发表于 2009-3-15 18:30 | 显示全部楼层

怪不得烧,不烧不正常,你那样肯定烧的。你看看数据手册,它的那些工作电压电流什么的是在一定的温度下测量的,所以你要保证这个温度,不要太高。至于散热片的选择,我也不会,还是请楼下的高手吧
21ele 发表于 2009-3-16 14:40 | 显示全部楼层

做设计涉及到功率元件,肯定是要先考虑到结温热阻什么的

先根据公式算算,合适的话,在做实际测试。
ruoye0228 发表于 2009-3-16 14:45 | 显示全部楼层

过压,过温

无非这两种可能
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