问题是这样的,我用的方法是零点触发可控硅,凡是从全功率到逐渐较少功率,就是触发间隔的周期数逐渐增大,,这样可控硅能正常工作,,,。。但是之后,可控硅断开时间一长,,就是G级低电平,,隔一段时间,,我从小功率开始启动可控硅,就是触发间隔的周期数逐渐减少,,,,但是可控硅就启动不了了,,但是单片机IO口有输出的,用示波器可以看到,触发脉冲是符合要求的,,就是可控硅触发不了,,,要是跌到一定值之后,就是要全功率的时候(全部高电平),这样可控硅又工作了,功率逐渐减少也能实现。。总的问题是,可控硅关断时间一长,,想从小功率启动就启动不了了。。可控硅有这样的特性吗?这样的话,不就不能用零点触发了? |