求助可控硅零点触发问题

发表于 2010-5-23 21:47

问题是这样的，我用的方法是零点触发可控硅，凡是从全功率到逐渐较少功率，就是触发间隔的周期数逐渐增大，，这样可控硅能正常工作，，，。。但是之后，可控硅断开时间一长，，就是G级低电平，，隔一段时间，，我从小功率开始启动可控硅，就是触发间隔的周期数逐渐减少，，，，但是可控硅就启动不了了，，但是单片机IO口有输出的，用示波器可以看到，触发脉冲是符合要求的，，就是可控硅触发不了，，，要是跌到一定值之后，就是要全功率的时候（全部高电平），这样可控硅又工作了，功率逐渐减少也能实现。。总的问题是，可控硅关断时间一长，，想从小功率启动就启动不了了。。可控硅有这样的特性吗？这样的话，不就不能用零点触发了？

发表于 2010-5-23 22:06

是单硅还是双硅，多半是你驱动相位的问题

发表于 2010-5-23 22:07

如果是双硅，建议使用MC3081,用时间分片控制

发表于 2010-5-23 22:08

2# 草根白骨精

BT134双向的的，我是在零点触发的，应该跟相位无关吧，

发表于 2010-5-23 22:12

我只按照现成的电路编程的，硬件方面没办法改的

发表于 2010-5-23 22:14

当然，过零后延时触发是可以的，就是控制导通角的方法，，，但是这样对市电干扰大，

发表于 2010-5-24 09:12

1# 275280780
触发能量太小的缘故，BT134应该还有后缀，后缀不同所需要的触发能量也不一样，增加触发能量的办法有两种：一种是增加触发电流，另一种是增加触发时间

发表于 2010-5-24 12:48

你好好研究一下你的单片机IO口脉冲同时看你的可控硅上波形
我甚至怀疑你全功率到逐渐较少功率这阶段可控硅是否关断过……

发表于 2010-5-24 15:40

可控硅是电流型器件，触发时需足够能量，触发脉宽和触发电流的积分值要满足可控硅的触发参数。

发表于 2010-5-24 17:45

你的触发脉冲周期是多少？交流可控硅是50HZ1,那你的周期就是20MS*N，小于20MS的周期都是无效数据

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