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80C51单片机能否直接驱动12V继电器

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楼主
szlipengju|  楼主 | 2010-5-25 07:15 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
80C51单片机, 直接驱动, 继电器, 控制, 电压
我是个菜鸟，电子方面知识几乎为零。想做一个控制电路，用单片机控制继电器吸合。不知道能不能直接控制，还是要在单片机和继电器之间加一个电压放大电路才能驱动。还有80C51单片机I/O输出端的输出电压时多少，谢谢！

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沙发
HWM| | 2010-5-25 08:13 | 只看该作者
当然不能，可以用一个三极管（或组合的复合管）外挂12V驱动。要注意的是，正负逻辑和复位瞬间的处理。

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板凳
szlipengju|  楼主 | 2010-5-25 10:38 | 只看该作者
谢谢2楼的帮助，你说的正负逻辑和复位瞬间的处理，这点我不懂，能不能帮忙画个简单的原理图，就要单片机的一个输出端到继电器的线圈这一段就行了。

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地板
别叫我菜鸟| | 2010-5-25 11:36 | 只看该作者
单片机输出加上拉电阻，然后加个缓冲器，然后去光耦，再到继电器，别忘了给继电器并个反向二极管和电阻（继电器是感性元件，关断时需要反向泄流）。希望对楼主有帮助！

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5楼
lhqlhq2| | 2010-5-25 11:38 | 只看该作者
晕，百度啊

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6楼
luoyangzi| | 2010-5-25 11:48 | 只看该作者
加个三极管推挽电路没问题能搞定。

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7楼
lhqlhq2| | 2010-5-25 12:06 | 只看该作者
4# 别叫我菜鸟
I/O口是否上拉还要看该口的特性把。
光耦也未必一定需要，而且有可能光耦的驱动能力也不够

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8楼
别叫我菜鸟| | 2010-5-25 12:15 | 只看该作者
回楼上：上拉是习惯，拉不拉随你，我没想用光耦去驱动，我用缓冲器驱动也是可以滴。

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9楼
lirunze| | 2010-5-26 20:44 | 只看该作者
二楼说的很对

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10楼
zlulu2006| | 2010-6-6 19:36 | 只看该作者
学习了，呵呵

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11楼
myymichael| | 2010-6-8 10:55 | 只看该作者
除了加上拉，还要考虑驱动电流的问题。6楼说的推挽电流是个办法。

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12楼
jjjyufan| | 2010-6-16 09:40 | 只看该作者
唉，楼上说了那么多，我不多言，上图，给初学者一个方便，这么久希望能有用

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13楼
kiyan| | 2010-6-18 15:34 | 只看该作者
80C51单片机的输出电流太小，不能直接驱动12V继电器

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14楼
lirunze| | 2010-6-23 19:29 | 只看该作者
不能

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15楼
xcs_1211| | 2010-6-24 09:01 | 只看该作者
如果驱动多的话，可以考虑使用ULN2003

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16楼
datouyuan| | 2010-6-28 16:49 | 只看该作者
一般12V继电器吸和电流30mA左右，12楼的图可以，假如是51MCU要上拉电阻。

2楼提到的要注意。
要注意的是，正负逻辑和复位瞬间的处理

51mcu 上电瞬间（或者复位）各IO口相当于输出高，会让继电器动作。

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17楼
chunyang| | 2010-6-28 17:03 | 只看该作者
12楼的电路前最好加一个非门或用晶体管反相，采用逻辑0来选通继电器，这样上电瞬间继电器不会误动作。另外，标准51的IO也无法饱和驱动晶体管，加反相器的方法 正好可以“一石二鸟”。

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18楼
yuhw1221| | 2014-7-23 20:39 | 只看该作者
jjjyufan 发表于 2010-6-16 09:40
唉，楼上说了那么多，我不多言，上图，给初学者一个方便，这么久希望能有用 ...


2sc1623   




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2sc1623，采用表面帖装型 ，通用型封装方式。









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1 基本信息
































1 基本信息 编辑本段


　　2sc1623，采用表面帖装型 （SMD），通用型 （Uni）封装方式。

　　生产厂家:日本日电公司

　　制作材料:Si-NPN

　　性质:表面帖装型 （SMD），通用型 （Uni）

　　封装形式:表面帖装型 （SMD），通用型 （Uni）

　　极限工作电压:60V

　　最大电流允许值:0.1A

　　最大工作频率:250MHZ

　　引脚数:3

　　可代换的型号:BC846,BCV71,BCV72,BCW71,BCW72,BCX70,2SC3323,3DG120C,9014LT1

　　最大耗散功率:0.2W

　　所属类别：半导体三极管

　　应用范围：放大

　　功率特性：中功率

　　极性：PNP型

　　结构：点接触型

　　材料：锗(Ge)

　　封装形式：SOT-23

　　封装材料：树脂封装

　　特征频率：250（MHz）

　　集电极允许电流：100（mA）



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